可控硅的IGBT复用关断法
xiaoyaoyou2009/06/16电磁炮 IP:安徽
常用两种控制方案的优缺点:
  1:可控硅
          过载能力强,瞬间电流通常能达到额定电流的10倍。
          价格便宜,对于450V300A的控制5元左右的产品即可胜任。
缺点就是关断电路复杂了。
2:IGBT
         关断实施容易,控制电路简单。
         过流能力差,一般在额定值的4倍左右,进行450V300A的控制则需要15元至20元价位的产品。
综合两种方案的优缺点,提出可控硅和IGBT共用的电路结构; 电路.jpg
在多级加速的情况下,可以显著降低成本。
请各位品评。
来自:物理高能技术 / 电磁炮
25
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~~空空如也
1000
14年11个月前 IP:未同步
110010
晶闸管有那么便宜
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slof
14年11个月前 IP:未同步
110012
电路完全不可行,多此一举
首先IGBT导通之前,可控硅的K极对地悬浮,不能触发导通。
IGBT导通后,可控硅再导通已经是多此一举,同样大的冲击电流流过IGBT,一样还是烧毁,再说IGBT的驱动电路过于简化,毁坏的风险更大
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xiaoyaoyou作者
14年11个月前 IP:未同步
110014
slof:“IGBT导通后,可控硅再导通已经是多此一举。”
   事实上IGBT是给多级线圈公用的,在电路里必须IGBT先导通,可控硅后导通,怎么能是多此一举呢。
至于驱动电路简单的问题,本图只是一个思路,呵呵
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slof
14年11个月前 IP:未同步
110019
问题是IGBT还要承担导通后的冲击电流和关断时的反向电压,一样成本下不来。
这样做的一点好处就是多级发射电路可以共用一个IGBT,也有一定的可取之处。当然IGBT和SCR能分别触发最好,比如平时保持IGBT常导通,SCR1触发后延时一段时间关断一下IGBT然后再导通,再触发SCR2,以次类推。
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潜伏者
14年11个月前 IP:未同步
110085
[s:245]你的想法不错,但是最终至少会有一个管承受大电流高电压。所以你的电路不能达到要求
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xiaoyaoyou作者
14年11个月前 IP:未同步
110109
当然要有一个管承受大电流高电压,就靠它来关断呢。
总比每个线圈都用一个IGBT经济的多。
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TUNGUSKA
14年11个月前 IP:未同步
110115
单个IGBT连续进行几次大电流关断,此IGBT要留有相对于每线圈一管大得多的功率余量才能保证安全.
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lpcwl
14年3个月前 IP:未同步
199845
赞同楼主的涉及思路回头试试,我现在用的都是igbt25n120
价格贵还容易挂,毁了将近十个了,下次买个大的igbt试下楼主的方案
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ビリビリ女
14年3个月前 IP:未同步
199853
不行的,理由很简单。
这个IGBT必须承受与可控硅相同的电流,所以基本原理和直接使用IGBT是一样的。
如果这样行得通用继电器解决岂不是更容易。
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xiaoyaoyou作者
14年3个月前 IP:未同步
199968
在多级发射的整个过程中IGBT开关一次,IGBT的关断只发生在最后一级发射结束。
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ビリビリ女
14年3个月前 IP:未同步
199970
反正这个电路已经错了,SCR无法触发导通的。
但从理论讲这样也不合理,要用一个IGBT去承受三次SCR才能承受的电流冲击需要一个相当相当大的IGBT。
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xiaoyaoyou作者
14年3个月前 IP:未同步
199971
如果你不自信琢磨一下,认为这个电路是错的,再讨论也没有意义。
做到10级以上的时候是用一个IGBT还是用N个,优势就很明显了。
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a109972947
10年11个月前 IP:未同步
537240
这么好的帖子 电路设计的很精妙

对于采用关断方式的确降低成本  

可能我会采取这个控制方案

顶起来[s:271]
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平衡充电器
10年11个月前 IP:未同步
537295
只要IGBT电流电压吃得消,理论上IGBT关闭可控硅讲的通。

思路正确[s:271][s:271][s:271]
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平衡充电器
10年11个月前 IP:未同步
537297


子弹到达中间位置关闭可控硅,可以节约能源。

把LC时间弄窄一点,子弹到达线圈中间位置放电完,一样可以节约能源。
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vcasm
10年11个月前 IP:未同步
537314
回 8楼(lpcwl) 的帖子
我昨天一晚就毁了10多个。。。。。,才买了100个,不敢乱用了
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vcasm
10年11个月前 IP:未同步
537316
回 楼主(xiaoyaoyou) 的帖子
思路很好,电路需要修改,IGBT最好专门的驱动芯片驱动,关断时采用负压确保迅速,否则很容易烧管
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a109972947
10年11个月前 IP:未同步
537322
回 14楼(平衡充电器) 的帖子
采用关断方式
可以放宽电压大小
不必考虑LC的放电时间 相当于不用考虑线圈的电感和电容的容量
非常的灵活方便
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平衡充电器
10年11个月前 IP:未同步
537327
楼上你的说法是对的。

IGBT在输入脉冲不陡时,在低电平上有放大区,这时的功耗太大了。

而可控硅几乎不存在放大区,或者可以说放大倍数太大。
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a109972947
10年11个月前 IP:未同步
537332
回 19楼(平衡充电器) 的帖子
说得不错 多谢指教
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华蓥
10年11个月前 IP:未同步
537334
sloft 和ビリビリ女 说话很有意思  sloft先是说"完全不可行,多此一举|可控硅不能触发导通|毁坏的风险更大"然后再说""有一定的可取之处|又说SCR1触发可以触发了)"

ビリビリ女  更是有意思直接就说"反正这个电路已经错了".居然用""反正"".

行不行又没试过谁能保证一定是错和一定是对的?
+10
科创币
delete
2013-06-20
认真奖
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平衡充电器
10年11个月前 IP:未同步
537352
回 18楼(a109972947) 的帖子
采用关断方式
可以放宽电压大小
不必考虑LC的放电时间 相当于不用考虑线圈的电感和电容的容量
非常的灵活方便
****************

的确是事实。

但是,还是有一个缺点--比【子弹到达中间放电完毕】类型的电路需要更大的电容。

还有一点点缺点,电磁炮电压越高效率越高,而高耐压高抗冲击电流是场效应管的短处。

论坛已经有使用900和1300V电压的,可控硅还是能达到的。
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jeilly6100
10年11个月前 IP:未同步
538841
回 楼主(xiaoyaoyou) 的帖子
请教一下楼主 , 哪能找到5块钱左右的 450V300A的可控硅? 满世界都没找到哇...
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老兵
10年11个月前 IP:未同步
538923
瞬间电流啊
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