HFSSTC经常击穿MOS管
UECMITSUI2021/09/16高电压技术 IP:辽宁

最近一直在做高频特斯拉线圈,电子管和mos管的两种电路都做了。但是mos管那个电路总是击穿mos管,已经击穿120多只了。如果在DS之间加上440V的TVS二极管则TVS二极管自身会击穿过热报废。而且发现电路运行几十秒后电弧会减短,不知道是为何。有没有人知道这是为什么。

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[修改于 2年6个月前 - 2021/09/17 10:35:12]

来自:电气工程 / 高电压技术
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~~空空如也
2年6个月前 IP:山东
897077

早就听说过HF容易炸管,所以一直不敢做,估计是频率高的原因吧,不过炸120多个管子。。。有点吓人。。。

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UECMITSUI作者
2年6个月前 IP:辽宁
897082
引用发表于1楼的内容
早就听说过HF容易炸管,所以一直不敢做,估计是频率高的原因吧,不过炸120多个管子。。。有点吓人。。...

嗯,这个电路我总共用万能板焊接了6次,每次都布局不同。只有一次的效果特别好,用IRFP250N假管功率上到了200W还能连续工作一晚上,可惜几十个小时之后板材过热击穿了。当时没想到布局对效果有很大影响于是按照“美观”重新布线了一个,结果直接炸管,再也不喷弧。现在重新制作了一个,能喷弧,但是不稳定,而且还是容易炸管。

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fleefly
2年6个月前 修改于 2年6个月前 IP:天津
897086

建议C4要和MOS管脚距离尽可能短,最好直接焊上MOS管脚上。C4如果能用云母电容就更好了。

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UECMITSUI作者
2年6个月前 IP:辽宁
897091
引用fleefly发表于3楼的内容
建议C4要和MOS管脚距离尽可能短,最好直接焊上MOS管脚上。C4如果能用云母电容就更好了。

好的谢谢你,我去试试。但是为何要用云母电容呢?不太理解。我用的是开关电源里面的那个蓝色Y电容

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fleefly
2年6个月前 IP:天津
897103

安规Y电容高频性能不好,而且失效时容量会慢慢变小。如果要用最好多个小电容并联。

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UECMITSUI作者
2年6个月前 IP:辽宁
897148

现在明白了应该是温度升高之后导通电阻变大引起的电弧变化

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UECMITSUI作者
2年6个月前 IP:辽宁
897154

IMG20210920171513.jpg IMG20210920171531.jpg

现在功率上到了240W,80V@3A

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KCA4356
2年4个月前 IP:浙江
898871
引用UECMITSUI发表于7楼的内容
现在功率上到了240W,80V@3A

请问你最后是怎么管子击穿解决这个问题的,我最近也在弄这个

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KCA4356
2年4个月前 IP:浙江
898877
引用UECMITSUI发表于7楼的内容
现在功率上到了240W,80V@3A

为什么你的次级线圈有两根引出线?

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UECMITSUI作者
2年4个月前 IP:辽宁
898886
引用KCA4356发表于9楼的内容
为什么你的次级线圈有两根引出线?

两根并联的,为了增大载流量,顺便利用一下接插件。

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UECMITSUI作者
2年4个月前 IP:辽宁
898887
引用KCA4356发表于8楼的内容
请问你最后是怎么管子击穿解决这个问题的,我最近也在弄这个

稳压管用5V的更好。在我测试的irfp系列mos管中,用IRFP250N这个型号的管子效果较好[要选择结电容小的管子],MOS管涂导热硅脂加散热片,放在水中冷却。mos管门极并联电容容量和管子结电容差不多容量。调试时可变电容先调到最大容量上电,再慢慢减小容量同时测试放电效果。电抗器可以用电磁炉电感,我用磁控管灯丝高频扼流圈两个串联作这个电感效果不错。如果用开关电源供电还需注意共模干扰的问题,会造成电源不稳定,容易击穿mos管。最后就是注意一下布线问题。

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m24h
2年3个月前 IP:上海
899945

我觉得可以考虑阻容吸收电路来吸收高峰 第二个原因不难 工作时间久了 管子升温了 阈值电压降低 冷时的最佳偏置电压就不是最佳了 电弧自然会变化

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LoserWong
2年3个月前 IP:浙江
900081

用GaN管试一下,igt60r070d1才10块钱一只…

看高频性能还不多

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科创用户018
4个月6天前 IP:河北
927212

可以用晶振推图腾柱在推mos管,完全与高压隔离,并且晶振是方波,发热小

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