锁相环CD4046特斯拉线圈
2233882010/03/20高电压技术 IP:山东
pic00155.jpg
pic00156.jpg
线圈:
pic00157.jpg
电位器一个调功率(占空比),一个调反馈。
pic00158.jpg
放电间隔:
pic00160.jpg
风散和电源接口:
pic00162.jpg     
视频正在审核中,明天再上传。

市电输入,功率可调,电流在0.2-0.6A之间。
电路是采用的CD4046NE555中断加半桥的方式来做的
频率:未知
初级线圈:16匝 直径75mm
次级线圈0.21mm的线1200匝左右 直径50mm
初级电容:1.68uF×2
场管:IRFP460×2
电弧最长12cm
////////////////////////////////////////////////////////////////
其实电路寒假就做完了,这几天学习没装,现在有空装上了。
是有几个个问题一直没解决,就是半桥在不接线圈的情况下会有0.02A的电流,磁环用的荧光灯中的小磁环,两个放一起再绕铜线。MOS的G极加不加(电阻并二极管)都还是有0.02A的电流,而且在不加线圈的情况下mos开(不加风扇开)一会就会微微热,和MOS串联的肖特基也老坏。
谁能解答下
+1500  科创币    black    2010/03/20 鼓励
+500  科创币    joyeep    2010/03/20 做的不错,继续努力!
来自:电气工程 / 高电压技术
44
已屏蔽 原因:{{ notice.reason }}已屏蔽
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~~空空如也
y2k
14年2个月前 IP:未同步
202350
看來很不錯,,發个效果圖看看
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atlas
14年2个月前 IP:未同步
202356
中南海万岁~~
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joyeep
14年2个月前 IP:未同步
202360
按照LZ 所描述的现象,多半是共态导通。

解决方法:
1.电路加入死区
2.在G串入一只(肖特基和5~10欧电阻并联),肖特基正端接G。

2是个容易的方法!当然缺点是在频率非常高的时候,MOS 发热大。
+100
科创币
虎哥
2010-03-20
助人为乐
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223388作者
14年2个月前 IP:未同步
202366
审核完了
下面是视频。
XXXXXXXXXXXXXXXXXX/v_show/id_XXXXXXXXXXXXXXXXml
不断调整电位器下放电情况
XXXXXXXXXXXXXXXXXX/v_show/id_XXXXXXXXXXXXXXXXml
早期的半成品
XXXXXXXXXXXXXXXXXX/v_show/id_XXXXXXXXXXXXXXXXml
不知为什么会打转,谁能给个解释?
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black
14年2个月前 IP:未同步
202401
正如jooyep说的
一般半桥或者是推挽 为了防止同时导通 都会把最大占空比设定在0.45左右
你的可能是占空比设计过高 量子管子的实际参数又不太相同 导致直通
不过有点不理解的是 一般进入直通的话 都会发生烧管 而不是诡异的20ma
所以我偏向于是均压电容漏电
+99
科创币
虎哥
2010-03-21
助人为乐。
+1
科创币
虎哥
2010-03-21
助人为乐。
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拔刀斋
14年2个月前 IP:未同步
202469
Coss寄生电容损耗,可以不管
引用第6楼black于2010-03-21 01:11发表的  :
正如jooyep说的
一般半桥或者是推挽 为了防止同时导通 都会把最大占空比设定在0.45左右
你的可能是占空比设计过高 量子管子的实际参数又不太相同 导致直通
不过有点不理解的是 一般进入直通的话 都会发生烧管 而不是诡异的20ma
所以我偏向于是均压电容漏电
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爆炸螺栓
14年2个月前 IP:未同步
202480
打转的话。好像是电晕有推力作用。坛子里有个电晕发动机。应该是吧 [s:246]
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
202483
LZ能否把电路图发上来?不接线圈还有0.02A的电流,我觉得可能不完全是共态导通,因为共态导通电流会很大,烧的是开关管本身。而这里的导通电流小,应该是MOS管的寄生电容惹的祸。你可能是用的直接驱动的MOS管电路,由于MOS管寄生电容Cdg和Cgs的存在,使得驱动电路实际上是在对Cdg和Cgs进行充放电,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大,可能超过串在G极上的肖特基最大耐受电流,烧你的肖特基。同时可能由于你的驱动电路充放电能力不够,造成MOS管开关时间延长,使得两个开关管在开关过程中(工作在放大区)有一点点重叠。
解决方法是
一:采取3楼和6楼的方案,适当增加两个开关管的死区时间。
二:采用图腾柱式驱动电路。(本站里有电路图)
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black
14年2个月前 IP:未同步
202498
引用第7楼拔刀斋于2010-03-21 11:13发表的  :
Coss寄生电容损耗,可以不管

你的意思是半个桥臂打开时 下面一个mos相当于电容?
我也是这样想的 但是他说“空载一段时间后 mos会很热”
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warmonkey
14年2个月前 IP:未同步
202519
0.02A可能是G极累积电荷,带来的漏电流,把G和S短接再看看
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
202567
引用第10楼black于2010-03-21 12:53发表的  :

你的意思是半个桥臂打开时 下面一个mos相当于电容?
我也是这样想的 但是他说“空载一段时间后 mos会很热”

非也,MOS管的等效电路如下图:
1_17102918.jpg
DG之间、GS之间都分别相当于并联了一个电容Cgd和Cgs,所以你想想,当你想使MOS导通,驱动电路输出高电位时,MOS管的G极电位不是瞬间提高的,而是由你的驱动电路先给Cgs充电(同时Cgd放电),使G极电位逐渐提升,MOS管经过一个短暂的放大区,才能进入饱和导通状态。同理,当驱动电路输出低电位时,MOS管的G极电位也不是瞬间下降为零的,而是Cgs经由你的驱动电路放电(同时Cgd充电),使G极电位逐渐下降,MOS管也要经过一个短暂的放大区,才能进入截止状态。显然如果驱动电路的电流输出和吸入能力越大,这个开关过程越短,开关损耗也就越小。
LZ在G极的Rg上并了个肖特基二极管,所以当驱动电路输出高电位时相当于直接通过这个肖特基二极管给Cgs充电,t=0时刻电容等效是短路状态,所以流过该二极管的电流是很大的。再加上这种电路开关频率多在数十K赫兹,每秒钟就有数十K次的冲击电流,如果元件选择不当很容易烧管。
由于半桥的两个MOS管都有一个“开关延迟时间”,所以在死区时间不够长时,可能会出现一个桥臂上的MOS管还未完全截止另一个桥臂上的MOS管就开始导通。但是由于两个MOS管都处在放大区,所以不是完全“短路”状态。这个漏电流不大,但是这个电流不经过负载直接从正极流经两个MOS管达到负极,电功率全是消耗在两个MOS管上,所以MOS管会发热!
+50
科创币
black
2010-03-21
放大区 +1
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
202573
“怎么才能判断驱动是否够?”
这要综合考虑你电路开关管的参数、开关频率、允许损耗等。不过在实际工作中都是在给定条件下尽可能的提高驱动电路的电流输出和吸入能力。你看看这0.02A你能否“忍受”,不能再用图腾柱试试。不过你G极上的二极管要换个大点的,还要注意开关频率。有的管子电压电流都够,但是频率超过额定值,也是会烧的。
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223388作者
14年2个月前 IP:未同步
202579
初级电感电感量未知,0mH无意义
截图期巍峨1269163186.jpg 截图1269165893.jpg
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223388作者
14年2个月前 IP:未同步
202580
139_8988_78331da87fe4c74.jpg   CD4049后面的部分没再要
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223388作者
14年2个月前 IP:未同步
202595
引用第12楼kuanglong7于2010-03-21 16:26发表的  :
非也,MOS管的等效电路如下图:
1_17102918.jpg
DG之间、GS之间都分别相当于并联了一个电容Cgd和Cgs,所以你想想,当你想使MOS导通,驱动电路输出高电位时,MOS管的G极电位不是瞬间提高的,而是由你的驱动电路先给Cgs充电(同时Cgd放电),使G极电位逐渐提升,MOS管经过一个短暂的放大区,才能进入饱和导通状态。同理,当驱动电路输出低电位时,MOS管的G极电位也不是瞬间下降为零的,而是Cgs经由你的驱动电路放电(同时Cgd充电),使G极电位逐渐下降,MOS管也要经过一个短暂的放大区,才能进入截止状态。显然如果驱动电路的电流输出和吸入能力越大,这个开关过程越短,开关损耗也就越小。
LZ在G极的Rg上并了个肖特基二极管,所以当驱动电路输出高电位时相当于直接通过这个肖特基二极管给Cgs充电,t=0时刻电容等效是短路状态,所以流过该二极管的电流是很大的。再加上这种电路开关频率多在数十K赫兹,每秒钟就有数十K次的冲击电流,如果元件选择不当很容易烧管。
.......

肖特基损坏怎么解释
截图1269165893.jpg
我用的IN5408×3
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223388作者
14年2个月前 IP:未同步
202597
补内部图
pic00163.jpg
pic00164.jpg
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joyeep
14年2个月前 IP:未同步
202605
肖特基的解法是错的,应该这样接:

139_9187_55406d6cf76015d.jpg
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ltl
14年2个月前 IP:未同步
202635
LZ的电脑电源好可怜……
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
202664
我不太明白LZ为什么要在MOS管的S极上串个肖特基二极管?这个串联的二极管除了增加损耗外好像没什么别的作用,而且1N5048不是肖特基二极管是普通整流二极管,用在这种高频环境中烧了是很正常的。(即使电流电压都在额定范围内)
再就是LZ采用的MOS隔离驱动电路也没必要,就是正规厂家生产的数百瓦开关电源也极少用隔离驱动电路的,这种电路调试很麻烦。连元件离散参数、PCB布线、磁芯特性等都要考虑进去,如果你有示波器可以先看看你的驱动电路输出波形怎么样,是不是你想像的那样。不过我建议用图腾柱直驱,足够了。
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倾听风吟
14年2个月前 IP:未同步
202731
只串肖特基,不加快恢复,根据电感的电流不能突变,在你的开关管截止时,电流就没去处了,所以感应出高电压,先干掉你的肖特基,然后从MOS自带的二极管流过
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TUNGUSKA
14年2个月前 IP:未同步
202841
S极的二极管不需要也用的不对,MOS旁边手画的二极管也不需要。
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
202843
21楼说的对,在MOS管关断时会有一个较高的反峰电压,所以你串联的二极管不仅没用,还“受罪”。MOS管里D、S间的快恢复二极管就是设计在这个时候起保护作用的,你为什么不要它“上阵”呢?
你驱动电路是用的PC直流电源供的电吧?接直流地呀!把你11楼的图改改,去掉中间的磁环、左边10uF、100nF电容和5Ohm电阻,CD4049哪里也改改,反相输出通过一个图腾柱驱动一个桥臂,另一个就不要通过反相器了,直接通过另一个图腾柱驱动另一个桥臂。还有,别忘了把你串在MOS上的1N5408也扔了。
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y2k
14年2个月前 IP:未同步
202845
MOS裡的UFD死的快才要外挂,...
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
202855
引用第24楼=y2k042000=于2010-03-22 21:29发表的  :
MOS裡的UFD死的快才要外挂,...

要看你的电路反峰有多严重,而且要限制反峰外挂二极管也是饮鸩止渴,要用反峰吸收电路或缓冲电路。
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拔刀斋
14年2个月前 IP:未同步
202985
桥式电路的外挂二极管作续流
一侧的外挂二极管限制另一侧的反峰
引用第25楼kuanglong7于2010-03-22 21:55发表的  :
要看你的电路反峰有多严重,而且要限制反峰外挂二极管也是饮鸩止渴,要用反峰吸收电路或缓冲电路。
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
203034
引用第26楼拔刀斋于2010-03-23 18:52发表的  :
桥式电路的外挂二极管作续流
一侧的外挂二极管限制另一侧的反峰

用三级管做开关管的要加,MOS管的可以就用里面的快回复二极管。反峰严重的话无论什么管、有无外挂二极管都应该用吸收或缓冲电路,甚至两个一起上。影响反峰的主要因数就是“漏感”。
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cool-co
14年2个月前 IP:未同步
203274
请问 未命名.jpg 这几个是第几脚????还有555到1k到4046的是9脚吗?谢谢
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
203709
“特斯拉的漏感不是很大吧”
正好相反,特斯拉的漏感很大。因为DIY的特斯拉磁耦合系数一般都较低,多数在0.3-0.4之间,所以漏感很大。
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223388作者
14年2个月前 IP:未同步
203745
引用第20楼kuanglong7于2010-03-21 20:26发表的  :
我不太明白LZ为什么要在MOS管的S极上串个肖特基二极管?这个串联的二极管除了增加损耗外好像没什么别的作用,而且1N5048不是肖特基二极管是普通整流二极管,用在这种高频环境中烧了是很正常的。(即使电流电压都在额定范围内)
再就是LZ采用的MOS隔离驱动电路也没必要,就是正规厂家生产的数百瓦开关电源也极少用隔离驱动电路的,这种电路调试很麻烦。连元件离散参数、PCB布线、磁芯特性等都要考虑进去,如果你有示波器可以先看看你的驱动电路输出波形怎么样,是不是你想像的那样。不过我建议用图腾柱直驱,足够了。

半桥不用磁环怎么驱动?
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倾听风吟
14年2个月前 IP:未同步
203803
不知道ir2101能驱动TC不能?
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black
14年2个月前 IP:未同步
203884
IR2110我到南昌问过
13元一片  而且不多
其实半桥驱动IC很多 只是不常用罢了 IR21系列的基本上都是半桥驱动
但是磁环的另外一个作用还有防止高压窜入控制电路 不仅仅是起反相的作用
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
204088
我画了个能调节死区的驱动电路,调节滑动电阻R5和R6就可调节死区时间。这种驱动原理半桥、全桥、推免都可以用。三极管可以用常见的8050和8550代替。
半桥驱动1.bmp
+100
科创币
joyeep
2010-03-28
鼓励
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
204113
直接用IC当然简单多了,我是给LZ一个小改进建议,换TL494的话LZ得电路就全要改了。
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223388作者
14年2个月前 IP:未同步
204135
网上很多半桥电路为什么没那么复杂?
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
204154
引用第36楼223388于2010-03-28 13:39发表的  :
网上很多半桥电路为什么没那么复杂?

就是因为网上的很多半桥电路都是用自带驱动电路的IC
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
204442
我用的是市电,不是12v。
好像不能这样接吧



不是吧?你的4046、4069什么的都是接的市电?最多是MOS管的上端接的整流滤波后的市电吧?
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223388作者
14年2个月前 IP:未同步
205270
半桥用磁环能隔离,有低压部分和高压部分(220v)。
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
205275
引用第39楼223388于2010-04-01 11:50发表的  :
半桥用磁环能隔离,有低压部分和高压部分(220v)。

就是啊,你最多MOS管接的是高压啊。控制电路肯定是低压直流,各不隔离不重要,只要你MOS管不被击穿。再就是在MOS管G极接个12或15伏稳压管到地,MOS管就是击穿了高压也会击穿稳压管,对地短路。不会烧控制电路的。
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223388作者
14年2个月前 IP:未同步
205831
我的低压电路负极接的地,如果不隔离的话 高压(220v)负极要接地?
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kuanglong7
14年2个月前 IP:未同步
206071
引用第41楼223388于2010-04-03 12:54发表的  :
我的低压电路负极接的地,如果不隔离的话 高压(220v)负极要接地?

低压负极接的是PC电源的负极,高压负极接的是市电整流滤波出来的负极。明白不?
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1989
12年3个月前 IP:未同步
362498
回 32楼(black) 的帖子
能告诉我南昌哪里有卖电子元件的么?我南昌的,找不到有卖电子元件的
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black
12年3个月前 IP:未同步
363054
南昌老长途汽车客运站 新大地电脑城旁边就有一个电子市场
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最高主机泡泡
12年3个月前 IP:未同步
363116
我一般都是用TL494,简单可靠。
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Chapter1 控制 硬件 电源

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