可控硅关断的“曲线”实现
笨笨不笨2013/02/20电磁炮 IP:四川
新人,以下观点可能是谬论,请涵
都知道可控硅的关断是个难题,可不可以在放电回路中串入一个普通MOS管,此MOS管在发射前就是导通的,因此不用承受导通瞬间的大电流冲击,发射后,在需要断开回路的时刻,只断开MOS管即可,这就绕开了对可控硅的操作。当然,MOS管也可用其他开关方式代替,只要符合要求的都可以。

以上方法是否可行,请各位大神斧正!
来自:物理高能技术 / 电磁炮
4
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~~空空如也
笨笨不笨 作者
11年3个月前 IP:未同步
501097
如果单独一个MOS管不足以承受瞬间的冲击,可以多并联几个达到要求,关断的时候用单片机或其他控制方式同时关断MOS管
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jrcsh
11年3个月前 IP:未同步
501132
MOS 可以顶得住 还要SCR作什么~~~~~~~~~~~~
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wenrui
11年3个月前 IP:未同步
501168
就算提前开通,MOS还是要承受冲击的~~~~~所以应该也不行~~~~并联的话应该也会有结电容不同导致不能同时开通的问题~~~~其实可以用IGBT的。。。只是价格 [s:275] 还有可控硅可以承受很大的瞬间大电流,像70TPS12/70TPS16就可以承受短时间1400A的电流,很耐操,而MOS和IGBT承受瞬间大电流的能力就差一点。。。
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笨笨不笨
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