昨夜完成单片机控制模块，立即编写了小程序测试，第一个demo测试采用各级500ns，然后示波器取样线圈数据项得到弹体的速度值用来修改程序参数，结果第一次测试就烧掉了10个IGBT，换一批后调试，各种原因不断报废芯片，夸装吧。。。。。
还好手里这个芯片备货很多，不断的各种尝试经过一夜，除了收获了不少芯片尸体，总结了一些小经验，写出来给大伙一个参考。

1、8G133，200V以上电压，导通时间超过200us，损坏几率50%以上
2、这个芯片焊接温度不能超过400度，否则耐压值明显下降，现象时电压加到300V击穿。
3、必须采用高速驱动芯片，方案中采用的4417，控制超短导通的脉冲，很难推动IGBT。
4,、8G133和25N120对比，明显性能超过后者，后者导通1ms的驱动，实际线圈端测量只有20us左右，而8G133的导通速度几乎和驱动同步。
5,、线圈两端并联高压104电容，明显改善IGBT的报废率，说明续流二极管不给力，手里的各种型号肖特基没有耐压200V以上的，只能等采购解决
6、单机测试发现，6厘米外的线圈感应电势足以击穿IGBT，多次单机测试，只要导通时间不合理，报废往往都是周边多个IGBT足以说明。  


后续我换了一批25N120，实验的结果是效率明显低于8G133，不过25N120很耐操，目前只烧掉1个。。。

板子上弄了一个蜂鸣器，模拟单反的延时快门效果，效果挺不错的


刚刚一次测试，又是10个IGBT，附带几个驱动芯片也不稳定一起换了，开始换25N120测试