新ZVS套件成品发布!另附我对ZVS的一点想法和研究!
caesar_king2014/01/19高电压技术 IP:辽宁
本帖最后由 caesar_king 于 2014-1-20 08:30 编辑

经过一番努力,终于拍完了所有组图!组图为父亲拍摄及后期处理,感谢父亲一直以来的支持!
也算给好久不活跃的ZVS折腾一下。
这个帖子,我主要分为四步:

一、发布新ZVS

ZVS,作为一款经典的逆变电源,有其优点也有其不足,不过因为元件易得,电路简单,一直受广大创客的热爱。
我自己,为了给夏天即将开张的网店增添第一点东西,设计了一款PCB,并由一款PCB延伸出了三款PCB。三款PCB电路相同,体积不同,适用于不同功率下长时间工作。

nEO_IMG_DSC_1293.jpg
这就是我这款PCB,体积7cm*8.8cm。三款PCB中,最小的一款小于4*6cm。
由于是第一次设计,边缘线做得很大,大家看到了吧。这就是一种浪费了,要么把铜敷扩到边上,要么缩小边缘节省体积。涨经验了。

nEO_IMG_DSC_1309.jpg
成品图,电容从卤豆腐那里采购而得,其他所有元件都是正规大厂家直接进货,保证了产品的稳定性。

nEO_IMG_DSC_1313.jpg
已经具备批量生产的能力。这是成品的多角度图。每一个上面的MOS用的都不一样,其中有250、260、460、4668四种场馆。为了给下文的研究作硬件铺垫。

nEO_IMG_DSC_1314.jpg
很壮观吧!

下面用IRFP260场馆的成品来测试PCB。

nEO_IMG_DSC_1385.jpg
全套设备。

nEO_IMG_DSC_1337.jpg
高压包负载时D极波形。

nEO_IMG_DSC_1370.jpg
输入38V,推背投高压包3+3T拉弧,长度约有20cm长,铝制散热器很快烫手,烧铁丝能瞬间烧的火星乱蹦。铝制散热片上压着的是EC40变压器磁芯。

nEO_IMG_DSC_1373.jpg
横向拉弧,非常壮观。在离子火最上端,可以看到高温等离子体。

nEO_IMG_DSC_1415.jpg
电流峰值16A,不过因为电源不给力(36V10A,硬调到38V,上到这种功率我已经很惊讶了),电压被拉到36V。粗略算得功率,16*36=576W。

到此,新品发布结束,请多多指教。
下面,展开我对ZVS的一点想法、思考和研究。

二、对于工作过程中场馆发热原因的探究


我在实验中发现,不同场馆的ZVS,实际驱动效果相差万里。
曾经,在玩ZVS的初期,我很幼稚的认为,场馆参数越高,效果就越好。所以从250升到260,效果不错;从260升到460,效果大打折扣;从460升到4668,效果又和260相差不大。
查阅资料,给出几个数值:
250:200V 33A Rds<0.085 Ohm
260:200V 50A Rds<0.04 Ohm
460:500V 20A Rds<0.27 Ohm
4668:200V 130A Rds<0.004 Ohm

250和260之间的差别很好解释,导通时DS间电阻比260大一倍,所以发热严重,大功率有炸管危险。250我今天也在用,用在功率比较小的时候;
260和460的差别更好解释。虽然四百六数值上比二百六大,但性能却不适合用在低压ZVS。最大电流460小于260,最重要的是,460通态电阻接近260的七倍!460主要是电压高,可用于市电。在小电压运行时,电流耐受才20A,我的ZVS就已经16A了,有点危险。
最百思不得其解的是260与4668。
单纯看参数,260的通态电阻是4668的十倍,4668应该完胜260。
但在上电运行后,感觉差不多,满功率输出时问题暴露了,4668发热要比260发热量大。运行10分钟,260温热,4668烫手。这引起了我的困惑,明明电阻小于260,为什么发热量倒大?
我想到了可能是开关不完全。
可是都是正常工作,哪来的不完全开关?
于是我想到了G极上升沿。
听说上升沿慢,开关就不利索,就会造成发热量大。
就此想法,做出对比验证实验。
一共用250,260,460,4668四种场馆来进行对比实验。
250和460发热原因主要由通态电阻引起,于是只放出测量参数,不对比。


nEO_IMG_DSC_1322.jpg
实验设备,用两个100uH电感代替负载。

上升沿对比
图像为实测MOS的G极波形


nEO_IMG_DSC_1332.jpg
IRFP260

nEO_IMG_DSC_1418.jpg
IRFP4668

nEO_IMG_DSC_1423.jpg
IRFP460

nEO_IMG_DSC_1428.jpg
IRFP250

由图可看出,其中260的上升沿的确比4668快一些。250和460的上升沿总体比较快,所以它们的发热应该主要由导通电阻引起。

下降沿对比
图像为实测MOS的G极波形


nEO_IMG_DSC_1333.jpg
IRFP260

nEO_IMG_DSC_1417.jpg
IRFP4668

nEO_IMG_DSC_1424.jpg
IRFP460

nEO_IMG_DSC_1427.jpg
IRFP250

由图可看出,250、260、460基本持平,4668大于此三者。这也有可能是4668发热较大的一个原因。
查阅资料可得,
250:导通时间25nS,上升时间50nS,关断时间60nS,下降时间40nS
260:导通时间23nS,上升时间30nS,关断时间90nS,下降时间28nS
460:导通时间18nS,上升时间59nS,关断时间110nS,下降时间58nS
4668:导通时间41nS,上升时间105nS,关断时间64nS,下降时间74nS
从理论角度,260在上升沿时间也大于4668。下降沿和关断时间虽然4668略胜一筹,但相差不大,远小于上升时的时间差。另外,也不存在不完全关断的问题。

经过实验,初步验证了4668发热量大于260的问题,得出推测:4668发热量大是由上升沿慢,导通时间慢引起的。
希望得到具备更好实验条件的前辈进一步验证。

对于昨天与@baiwenglong 交流和提出的问题,我也做出了思考。

三、分析ZVS大功率或大电流运行时不稳定现象的分析与推测


实验发现,并联于两场馆D极的电容,容量越大,电流越大,功率越大。所以我经常并联三个甚至四个电磁炉MKP来提高功率。但是我发现,电流一大,感觉效率就降低了。经过理论推算,找到了一部分原因。
这个原因可能有两点:
1、MKP参与谐振,容量越大,频率越低。不过电容通交流电,而MKP两端刚好是正弦波形,所以MKP有可能通过电流,导致效率下降。
MKP通过的电流与容抗有关,在电压一定时,与两个量有关:容量,频率。
而容量变化,频率也会变化。
那就需要计算,在电容量变化时,容抗究竟变大变小。
nEO_IMG_DSC_1287.jpg
nEO_IMG_DSC_1288.jpg
由计算得,效率下降。但频率下降,ZVS初级等效电感一定,会导致初级内电流变大从而增加有用功率。

2、但是我发现,电流一大,MOS发热就剧烈。
用示波器观察波形得知,在大电流运行时波形急剧变化,严重变形。
其原因,我要归结于两个方面:
1.首先以我自己的角度理解一下ZVS的运行原理。ZVS的G级控制可以看作是一个可以储存电能的地方(因为稳压管工作需要能量),电能从470 Ohm电阻进入,充斥整个控制单元。在单元内有电能(G级为高电平)时,场馆导通。随后波形由谐振控制,从峰值下降,当下降到单元内部的电平时,这个单元内部储存的电能会被快恢复二极管导走,G极会回到低电平,场馆关断。另一个场馆与此正相反。这个状态在两个场馆中循环运行。
2.在大功率运行时,次级上消耗的电能多,控制单元内部储存的能量会很快达到被排走的状态而被排走。此时场馆开始关断。而另一个场馆由于470电阻限制,并没有进入足够的能量,导致波形变化,MOS开关不彻底而严重发热。理论上解决办法是,降低470电阻的阻值。
3.两个控制单元内部的能量是交替运行的,但因为有上升沿和下降沿,导致二者一定相交。
nEO_IMG_DSC_1431.jpg
这就是理论上的交点,我在实验中发现了。而这个交点很奇怪,两个G极测量,下降沿的平台开始的一瞬间,上升沿开始,下降沿平台过去的那一瞬间,上升沿的平台到达同一高度并且开始出现平台。上升沿平台过去的一瞬间,下降沿结束。而且交点是一个MOS没完全开,一个MOS没完全关(不再绝对的零电压开关状态),持续了一段时间后才变化。
我又把一个MOS的G级和另一个MOS的D极加起来测量,发现:
nEO_IMG_DSC_1426.jpg
交点构造的平台完全重合。

nEO_IMG_DSC_1430.jpg
与自己的D极测量,发现平台相交结构与两G极一样。这说明ZVS不在零电压开关状态,另外场馆通断与另一个场馆的G极有密切关系。

对于小平台及其导致的不在零电压开关状态,我作此解释:

快恢复二极管有正向压降。由一个场馆的DG两极波形可以看出,在此MOS没有完全导通时,快恢复二极管已经失去了导走电能的能力,所以这个MOS的控制单元开始充电。而二极管在有正向电压时不导通,唯一的解释就是正向电压小于正向压降。所以(参照一只场馆DG极图),在没有完全导通时,控制单元就已经开始充电。而在下降沿唯一能触发小平台开始的,就是一个上升沿的开始,因为这是同一时间发生的。而一个G极上升沿的开始,又代表着另一只场馆开始关断,他们是绑定的。

所以,我给出的过程是这样的:一只导通的场效应管MOS1由于谐振波形而即将关断。此时MOS1的控制单元的快恢复一直处于高电平状态。当到达一个值,即MOS2 D极电压降到MOS1控制单元的电平时,MOS1控制单元泄压(参照图1429)。此过程,MOS2的控制单元一直处于泄压状态。(参照图1431)当泄至快恢复的正向压降时,MOS2的控制单元停止泄压开始充电,MOS1关断。此时两只MOS都处于关断状态,但电容两端电压却是一个高一个低,于是此时所有能泄压的都在给电容充电。这就是那个下降沿小平台。除了MOS1 D极、MOS2控制单元和电容电平变化外(这三个引脚是等效的),所有电平保持平衡。当这三个等效点电平越过快恢复的正向压降,MOS2控制单元足够导通了,MOS2导通。导通后,MOS2连接的电容端泄压。这就是上升沿小平台。电容端电压小于快恢复的正向压降后,MOS1越过小平台,继续上升。循环。

这就是我所有的分析。

四、预告
接下来我将做我的第一个TC,高度是135cm的3000W SGTC。
敬请期待!
———————————END———————————
nEO_IMG_DSC_1431.jpg
+30  科创币    最高主机泡泡    2014/01/19 高质量发帖
+50  科创币    q81919119    2014/01/19 高质量发帖
+10  科创币    1999德意志    2014/01/19 很漂亮的作品
+80  科创币    helium    2014/01/19 期待LZ做得更好
+80  科创币    QQQQQQQ    2014/01/19 感谢分享
+50  科创币    ne555    2014/01/19 高质量发帖
+30  科创币    qwe    2014/01/19 -
+10  科创币    a2287504358    2014/01/20 感谢分享
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来自:电气工程 / 高电压技术
94
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zgchen
10年4个月前 IP:未同步
664067
学习了!这贴要火啊!
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左哥
10年4个月前 IP:未同步
664077
baiwenglong 发表于 2014-1-20 12:17
应该是一侧MOS的开启使它的D级等效接地,通过快恢复拉低另一侧MOS的G级,使他关断的吧


我指的是另一个二极管,谐振自我关断的过程:你先看着图,假设上管导通,通过下G上D二极管使下管关断,这是你说的意思,同时电流通过扼流电感给LC谐振回路提供能量,经过一段时间(ω=π,T/2),下管D极电位被LC谐振回路拉低(我指的是这个过程),然后开关管状态改变,进入下半周期。
你按照楼上我说的电路模型分析,会得出一个结论:看做双稳态电路的时候,如果要使电路的状态发生翻转,唯一的办法是拉低关断管(相对于导通的开关管而言)D极的电位,而这个过程正是由LC谐振回路完成的。
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左哥
10年4个月前 IP:未同步
664079
baiwenglong 发表于 2014-1-20 12:46
哈,开关电源设计这书刚下载来看了,好好学习一下。。。
变压器饱和挺可怕的。。因为这个炸过管子。。。 ...


可不呗,看了这书之后感觉自己当年就是做死啊啊啊~~~感觉当年自己的无知太坑爹了,我还经常绕EE……
呃,这书你居然能下到!?要看普利斯曼写的哦~
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caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664082
左哥 发表于 2014-1-20 12:00
啊哦,我弄错了,@baiwenglong(KCID),他是13岁
为什么输出的两个线圈不绕在同一个电感上也能工作呢? ...


我认为此电路工作与耦合没有关系。因为无抽头双电感电路其实就是这个电路,把负载换成两个电感,经典电路中的电感去掉,然后在这两个电感两端并负载。而无抽头电路也可以工作,所以此电路工作与磁场耦合应该没有关系。
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caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664083
左哥 发表于 2014-1-20 12:12
嗯,正是因为这个结电容,所以才会对G极电压的上升沿和下降沿的绝对值有影响,除此之外,还有米勒效应的 ...


我考虑到了结电容的关系,但与我的实际测量不符,比如460结电容大于260,却比260快
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最高主机泡泡
10年4个月前 IP:未同步
664085
左哥 发表于 2014-1-20 13:23
我指的是另一个二极管,谐振自我关断的过程:你先看着图,假设上管导通,通过下G上D二极管使下管关断,这 ...


呃,是的啊,下管(关断的管)D级被LC回路电容电压拉低后通过连接的快恢复拉低上管G,上管关断,D电压上升,同时下管G电压通过470电阻上升,下管开启,上管关断,这时C充电,LC回路继续震荡,直到C再次放电,拉低上管D,关断下管,下管D电压上升,上管通过470又一次开启。。。。
我看的是从电源网下载的啊,Pressman著。王志强,肖文勋,什么什么译的那个第三版
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caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664087
左哥 发表于 2014-1-20 12:43
其实我分析电路的时候,习惯把这个电路的扼流电感、谐振电容、谐振电感(变压器)全部去掉,再看电路,这 ...


我没有磨气隙,居然也很好用!
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caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664088
左哥 发表于 2014-1-20 13:23
我指的是另一个二极管,谐振自我关断的过程:你先看着图,假设上管导通,通过下G上D二极管使下管关断,这 ...


的确是由LC谐振回路完成的,在我的帖子里有体现。因为那一张波形图,下G上D的波形图,很明显可看出是由谐振回路完成的
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左哥
10年4个月前 IP:未同步
664094
caesar_king 发表于 2014-1-20 13:47
我没有磨气隙,居然也很好用!


那是因为电流很小,磁芯还那么大,峰值磁密很小,离饱和差远了
要按照AP值和设计功率选取磁芯的,你还是按照磁芯设计功率吧,EC40推挽磁场估计上300W没问题,还是计算一下吧,到时候就得开气隙了,不用磨,用塑料片之类的安到磁芯的缝里就行,我一般计算完了之后用卡尺测,选取合适厚度的材料……
我还没示波器呢,打算年后用压岁钱买个,到时候再深入研究~
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caesar_king作者
10年4个月前 IP:未同步
664095
左哥 发表于 2014-1-20 14:07
那是因为电流很小,磁芯还那么大,峰值磁密很小,离饱和差远了
要按照AP值和设计功率选取磁芯的,你还是 ...


学习一下AP值!
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左哥
10年4个月前 IP:未同步
664096
caesar_king 发表于 2014-1-20 13:50
的确是由LC谐振回路完成的,在我的帖子里有体现。因为那一张波形图,下G上D的波形图,很明显可看出是由谐 ...


事实证明我的人脑仿真还是很成功的~
我没示波器,人脑仿真得到波形,电路分析全靠人脑,如有考虑不周全之处,请指正,谢谢!
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左哥
10年4个月前 IP:未同步
664097
baiwenglong 发表于 2014-1-20 13:46
呃,是的啊,下管(关断的管)D级被LC回路电容电压拉低后通过连接的快恢复拉低上管G,上管关断,D电压上 ...


我了个去!电源网居然能下到?!
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左哥
10年4个月前 IP:未同步
664098
caesar_king 发表于 2014-1-20 13:44
我认为此电路工作与耦合没有关系。因为无抽头双电感电路其实就是这个电路,把负载换成两个电感,经典电路 ...


这个我不能准确分析,请深入讲解~
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最高主机泡泡
10年4个月前 IP:未同步
664099
caesar_king 发表于 2014-1-20 13:47
我没有磨气隙,居然也很好用!


垫一块纸就行了
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最高主机泡泡
10年4个月前 IP:未同步
664100
左哥 发表于 2014-1-20 14:07
那是因为电流很小,磁芯还那么大,峰值磁密很小,离饱和差远了
要按照AP值和设计功率选取磁芯的,你还是 ...


多大啦。。
示波器还不算很贵。。还是有必要弄个来用的
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最高主机泡泡
10年4个月前 IP:未同步
664101
caesar_king 发表于 2014-1-20 13:44
我认为此电路工作与耦合没有关系。因为无抽头双电感电路其实就是这个电路,把负载换成两个电感,经典电路 ...


我认为也是,在仿真里面把变压器去了,只保留电感,也能起振呢
感觉这个电路主要是靠LC回路来完成震荡的
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pigwyl
10年4个月前 IP:未同步
664103
我表示看不懂~路过一下
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caesar_king作者
10年3个月前 IP:未同步
664128
左哥 发表于 2014-1-20 14:28
这个我不能准确分析,请深入讲解~


把经典电路改一下:负载绕组改为两个独立电感,取消经典中的电感,把两个470电阻直接接在电源正极上,再看,是不是就是双电感无抽头ZVS!
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最高主机泡泡
10年3个月前 IP:未同步
664131
caesar_king 发表于 2014-1-20 17:11
把经典电路改一下:负载绕组改为两个独立电感,取消经典中的电感,把两个470电阻直接接在电源正极上,再 ...


哈,其实都是一个电路,变种罢了。。
这个电路真的很巧妙哈,不用依靠反馈就就能起振了
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caesar_king作者
10年3个月前 IP:未同步
664323
baiwenglong 发表于 2014-1-20 17:22
哈,其实都是一个电路,变种罢了。。
这个电路真的很巧妙哈,不用依靠反馈就就能起振了


一个快一个慢,快的那个靠二极管硬把慢的那个控制电平拉低?
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最高主机泡泡
10年3个月前 IP:未同步
664328
caesar_king 发表于 2014-1-21 10:55
一个快一个慢,快的那个靠二极管硬把慢的那个控制电平拉低?


开启块的用二极管关断慢的,然后靠LC电路翻转,就是这样吧。。
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caesar_king作者
10年3个月前 IP:未同步
664337
baiwenglong 发表于 2014-1-21 11:05
开启块的用二极管关断慢的,然后靠LC电路翻转,就是这样吧。。


对,我分析就是这样的
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tyl961115
10年3个月前 IP:未同步
664355
ZVS状态下,上升沿下降沿的关系不大啊,应为开启和关断的时候管子两端没什么电压啊。并不会造成损耗
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caesar_king作者
10年3个月前 IP:未同步
664356
tyl961115 发表于 2014-1-21 13:22
ZVS状态下,上升沿下降沿的关系不大啊,应为开启和关断的时候管子两端没什么电压啊。并不会造成损耗


是的,但是在导通时,驱动达到导通电压较长时间后管子才导通。这是米勒平台导致的,所以后文在讨论米勒平台的成因。但由于事先不知道米勒平台的存在,所以解释中没有加入管子的结间电容,出了一点漏洞。
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go炮君
10年3个月前 IP:未同步
664359
研究证明,zvs中不可使用粉心电感,且电感为150uH 为宜
电容0.33 1200V
电阻470 5W(不是3W)
场馆的导通阻抗越低越好(如IRFP3206,只是电压低了点)耐压60V以上
场馆和散热片放置于PCB板最外围,方便加风扇散热,改善散热结构
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go炮君
10年3个月前 IP:未同步
664360
场效应管的并联效果非常好,可以说它天生就是用来并联的
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go炮君
10年3个月前 IP:未同步
664361
场馆的D极线路为大功率走线,必须铺锡,否则发热
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go炮君
10年3个月前 IP:未同步
664362
场馆的D极线路为大功率走线,必须铺锡,否则发热
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caesar_king作者
10年3个月前 IP:未同步
664527
go炮君 发表于 2014-1-21 13:57
研究证明,zvs中不可使用粉心电感,且电感为150uH 为宜
电容0.33 1200V
电阻470 5W(不是3W)


呃这真是一个散热的好主意= =但好像没那么多热可以散啊= =

470电阻3W目前足够了,功率还没那么大吧,以后大功率再换5W。

铁粉芯磁芯高频损耗的确要考虑,我下一步考虑以下换什么磁芯。

场馆并联我倒没想过,下一步会尝试,感谢此建议。

场馆放外围的建议,在接下来的PCB中会这么做,谢谢建议。

至于D极线路,我现在不到20A的电流,而且双面走线,基本不发热。
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左哥
10年3个月前 IP:未同步
664548
caesar_king 发表于 2014-1-22 09:21
呃这真是一个散热的好主意= =但好像没那么多热可以散啊= =

470电阻3W目前足够了,功率还没那么大吧, ...


我最近做的miniZVS,电阻用俩220Ω 1/4W串联的,一点也不热
你有示波器,你测一下这个电阻的功率损耗~
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左哥
10年3个月前 IP:未同步
664553
caesar_king 发表于 2014-1-20 17:11
把经典电路改一下:负载绕组改为两个独立电感,取消经典中的电感,把两个470电阻直接接在电源正极上,再 ...


哦,双电感无抽头ZVS不就是自激电感半桥么,一个MOSFET和其D极相连的电感构成一个桥臂,电感半桥+LC并谐
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左哥
10年3个月前 IP:未同步
664558
caesar_king 发表于 2014-1-22 09:21
呃这真是一个散热的好主意= =但好像没那么多热可以散啊= =

470电阻3W目前足够了,功率还没那么大吧, ...


这个电路的布局走线,两个开关管安装的时候必须加绝缘垫,尽量靠近PCB边缘,D极走线远离G极走线,信号线远离功率线,走线不能有直角,拐弯处采用两个45度角,除地线外不能大面积覆铜,可以大面积铺地,大功率走线与地之间隔3mm,小功率信号走线与地之间隔1mm,都不能太近,大功率走线必须铺锡,应设多个过孔连接正反面的铺地,以每平方厘米3个左右为宜,小功率信号走线附近的铺地上应多设过孔,焊盘上不应过孔,大功率发热器件不能聚堆,要分散布局,远离受温度影响较大的电解电容,G极走线2~3mm,D极走线5~10mm,磁性器件之间要注意磁耦合问题
暂时就想了这么多,语无伦次敬请谅解,希望能对老弟有所帮助~
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最高主机泡泡
10年3个月前 IP:未同步
664567
caesar_king 发表于 2014-1-22 09:21
呃这真是一个散热的好主意= =但好像没那么多热可以散啊= =

470电阻3W目前足够了,功率还没那么大吧, ...


实际上电阻的耗散功率并不大。。。2W足矣
我的铁粉芯电感做ZVS效果非常好啊。。。。也有人建议用铁硅铝。
铁粉芯的好处是极其难饱和,坏处是单圈电感量小,要多绕几圈。。。
这就是个扼流圈,限制电流的,高频损耗什么的没啥关系吧
一般都是铁粉芯(我看见的几个套件也都是黄白环)铁硅铝据说不错,但是好像贵一些
铁粉芯好找,随便一个ATX里面的3.3V输出电感直接就能用(电感表测一般在60uH左右)
我用的自绕电感,大概100UH,铁粉芯,多股漆包线
ZVS一般认为是不能并管的。。。但是也有人做成功了。。可能和管子的参数差异有关,但是肯定影响效率
ZVS这个一般发热不大,用不到主动风冷,一个小散热片就够了。。
大电流走线铺锡,甚至埋铜丝都是必须的(关键谐振电路)。。另外谐振电容和初级线圈连线要粗,尽量短,而且尽量不要用插接件。。至于D级走线我觉得问题不大,铺点锡足够
走线问题一般没太大影响吧,毕竟开关频率不高。。而且只有一对功率管,没有均流之类的问题,只是大电流走线尽量短,而且发热元件不要拥挤。。(电感和谐振电容大电流工作中实际上发热比MOS还严重)
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最高主机泡泡
10年3个月前 IP:未同步
664568
左哥 发表于 2014-1-22 10:27
哦,双电感无抽头ZVS不就是自激电感半桥么,一个MOSFET和其D极相连的电感构成一个桥臂,电感半桥+LC并谐


这不是半桥。。是推挽啊。。
半桥是上臂的S接下臂的D吧
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左哥
10年3个月前 IP:未同步
664577
baiwenglong 发表于 2014-1-22 11:23
这不是半桥。。是推挽啊。。
半桥是上臂的S接下臂的D吧


两个下臂是开关管,两个上臂是电感,不算是半桥么?
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最高主机泡泡
10年3个月前 IP:未同步
664582
左哥 发表于 2014-1-22 11:57
两个下臂是开关管,两个上臂是电感,不算是半桥么?


额,首先我没见过电感半桥= =
另外半桥应该是上臂D接电源,S接下臂D,下臂S接地,,这种结构吧
这个是两个MosS接地,D接负载。。。这应该算一种推挽吧

电路结构,半桥结构如图所示,它是两个功率开关器件(如 MOS 管)以图腾柱的形式相连接,以中间点作为输出,提供方波信号。这种结构在 PWM 电机控制、DC-AC逆变、电子镇流器等场合有着广泛的应用。

百度一下,应该是用两个MOS的中间点做输出才算是半桥吧。。
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左哥
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664602
baiwenglong 发表于 2014-1-22 12:13
额,首先我没见过电感半桥= =
另外半桥应该是上臂D接电源,S接下臂D,下臂S接地,,这种结构吧
这个是 ...


半桥必须是同一桥臂上是两个开关管呗,如果这个电路不叫半桥的话,那就没有电感半桥了,电源直接短路了
至于极性,都无所谓了,但是常用的有两种,一种是上P下N,极性是SDDS,另一种是全N,极性是DSDS
那半桥如果想自激的话,该怎么连接?全N管,不用GDT,上管自举驱动的
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最高主机泡泡
10年3个月前 IP:未同步
664606
本帖最后由 baiwenglong 于 2014-1-22 14:41 编辑

左哥 发表于 2014-1-22 13:52
半桥必须是同一桥臂上是两个开关管呗,如果这个电路不叫半桥的话,那就没有电感半桥了,电源直接短路了
...


全N的比较多
上P下N的一般做不到高压吧,驱动电机或者做推动用的多(H桥,电机驱动常用,其实就是上P下N的全桥)
半桥自激都有GDT的
还是这个,自激半桥
电子变压器.png
这货当然就是标准的全N半桥了
上P下N的桥,没见过自激的呢
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左哥
10年3个月前 IP:未同步
664611
baiwenglong 发表于 2014-1-22 14:40
全N的比较多
上P下N的一般做不到高压吧,驱动电机或者做推动用的多(H桥,电机驱动常用,其实就是上P ...


上P下N加GDT上高压没问题吧,注意GDT绝缘和相位问题即可,我觉得加了GDT之后都一样,但是一个P一个N需要考虑配对问题,所以就全N了吧……
有的全桥半桥采用电桥驱动器,上下全N的,可以不用GDT,例如IR2110这个IC……IR2110,我的最爱~
上P下N确实是用在低压比较合适,像你说的直流电机换向,还有BTL功放
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最高主机泡泡
10年3个月前 IP:未同步
664617
左哥 发表于 2014-1-22 15:00
上P下N加GDT上高压没问题吧,注意GDT绝缘和相位问题即可,我觉得加了GDT之后都一样,但是一个P一个N需要 ...


IR2110死贵死贵的。。。
一般用GDT方便,但是波形问题。。还有就是占空比不能满
还有光耦自举驱动,可以满占空比
高压的P管不太好找吧。。。还有配对问题
我见过的高压桥类都是全N的
小电机的驱动用上P下N全桥的很多
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左哥
10年3个月前 IP:未同步
664622
嗯嗯,明天就是小年了,提前祝老弟小年快乐哦~~~
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zhouxudongkfq
10年3个月前 IP:未同步
665707
怎么和我在淘宝上买来的几乎是一样的呢
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caesar_king作者
10年3个月前 IP:未同步
665708
zhouxudongkfq 发表于 2014-1-27 17:04
怎么和我在淘宝上买来的几乎是一样的呢


怎么可能啦我自己设计打样的。你看走线就知道了。就怪我忘记在PCB上打我的名字了= =现在设计的所有PCB上都印我的名字。下次不能出这种误会啦
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zhouxudongkfq
10年3个月前 IP:未同步
665971
caesar_king 发表于 2014-1-27 17:09
怎么可能啦我自己设计打样的。你看走线就知道了。就怪我忘记在PCB上打我的名字了= =现在设计的所有PCB上 ...


[s:12]也怪我  小白一个 刚刚接触ZVS  不懂行  莫怪额
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