采用的管子是IRFB3206，内阻3毫欧，模拟时将电容内阻，以及外部线路内阻算作10毫欧。之所以选用这样的低压，是因为容易获得和使用，电容可直接用25V的并联，不必串联。电源用几个3824稳压块并起来即可。如果用大功率电池即可保持连续半/全自动射击
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资料显示，IRFB3026的承受能力可以承受连续射击（第二级处脉宽很大。我将用并联的方式来减轻其压力），鉴于其超小的储能，我觉的可能做到每秒10发，前提是拥有400W以上的电源
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初始位置是测量的还是设计的？总耗能是打完后逐级测余压算的吗？
线圈匝数蛮有意思的，17匝的有点吓人。
线圈匝数蛮有意思的，17匝的有点吓人。
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还是感觉电磁枪用光电传感器比较好，闭环的比较精准，而单片机都是盲控，无法实时的控制开关。
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引用 liunian198:对
貌似这些数据，是楼主模拟出来的？
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引用 三水合番:的确有点吓人了，但是尽管如此，电流峰值也才750A+，脉宽小于350us，而MOS能承受脉宽400us的840A电流！我倒是觉得前面几级有点吓人，脉宽都飙到1000+了，超了2.5倍（虽然电流小）
初始位置是测量的还是设计的？总耗能是打完后逐级测余压算的吗？
线圈匝数蛮有意思的，17匝的有点吓人。
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