发布一个市电全桥ZVS
       这个市电全桥ZVS电路是根据“laputa2112”的电路改编而来的,下管驱动改为了推挽驱动,上管用光耦弥补了360欧的驱动内阻,增强了驱动能力,减小了IGBT门极延迟造成的损耗,功率管为耐压1200V的IGBT FGA25N120,并联在DS端的四个0.33uf电磁炉电容为吸峰电容,避免门极动作产生的尖峰电压击穿IGBT,四个二极管选FR207 FR307 UF4007等耐压1000V的快恢复二极管。其实在很久以前就有人发布了一个抽头式市电ZVS,说实话,那个电路理论上可以工作,但在实际中很难实现,因为耐高压的压控功率管一般都是IGBT,并且现在的IGBT单管一般耐压值为1200V,ZVS谐振时谐振电容电感端电压超过π*VCC,一般为4倍电源电压,用310V市电就会在IGBT的DS产生1200V左右电压,管子在击穿的边缘。因为那个市电ZVS还是采用的与经典抽头式ZVS相同的拓扑-推挽,但是对于全桥,两个IGBT串联去承受那1200左右高压,所以对一个IGBT单管只要求600V以上的耐压即可,选用两个1200V IGBT串联组成的一个桥臂能够承受2400V高压,完全够了,安全了。电路图中要注意:IGBT5和IGBT6虽然不用于主功率部分,之用IGBT是因为它的耐压高,不能用低压的mos管如irfp250 260,irf222等,至于光耦,穷人可以用用PC817,PC817的输出电阻大约为90欧姆(比较大),相对于360欧姆要好一些,土豪可以选择CPC1008N,CPC1017等光耦继电器来替换,CPC1008N的输出电阻为4.7欧姆,这个对于上管的驱动能力就很强,损耗更小,并联在IGBT DS端的吸峰电容请千万用电磁炉的0.33uf BM电容,对于CBB电容,悄悄漏掉一个尖峰就会击穿一个IGBT,下管的推挽三极管只要是npn和pnp就行,没有任何要求。驱动电压18V独立供电,淘宝上电磁炉电源模块多的去了,3块钱一个。
全桥ZVS.png 全桥验证1.png
      

    

全桥验证2.png

[修改于 8年4个月前 - 2015/12/22 16:58:12]

来自:电气工程 / 电气电工电气工程 / 高电压技术
15
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~~空空如也
shsyfsh
8年4个月前 IP:上海
801566
昨晚八点半的帖子,有这样的内容,咱有意留着观察—下,现在居然还能坐上沙发?
怎么回亊?
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灬小猫
8年4个月前 IP:上海
801573
单管那个图R1反向并联一个高速二极管能不能加速MOS关断呢···
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王秋冬
8年4个月前 IP:河南
801576
第一个电路确实很新颖,具体原理是什么呢,麻烦版主给解释一下,它是如何启动的。
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shsyfsh
8年4个月前 IP:上海
801595
楼主这个单管的图,应该是反激的。
我曾经不用MOS,就只用普通三极管C2500,电源4V锂电,搭类似的实物电路试过。
区别只是省了电感L1,直通。    还有R1串了反馈绕组,直接取自VCC。
波形和楼主公布的—样,也是半个正弦波。  发热明显比一般反激电路要小。

但毕竟只有半个正弦波,与标准波比较,功率会小—半多—点,损耗也会相对大—点点。

正式应用时,在前面用buck或boost加个简易的稳压或调压,在某些场合还是会有用得上的机会。要求不高时也可以只调R1。


请教, 我当时 少用了一个电感L1,   这在电路中应该是限止了T的振荡幅度对吗?
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shsyfsh
8年4个月前 IP:上海
801599
另外有个问题值得思考。
无源LC并联谐振,是个衰减振荡。  理论上,只要我们适时向谐振环注入电流,这个谐振就成了有源,可以维持正弦变换。

那么你这个电路应属于串联谐振吗?

如果要维持单管标准正弦波,可能要改为正激吗?
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科技改变生活ok作者
8年4个月前 IP:四川
801600
引用 shsyfsh:
楼主这个单管的图,应该是反激的。
我曾经不用MOS,就只用普通三极管C2500,电源4V锂电,搭类似的实物电路试过。
区别只是省了电感L1,直通。    还有R1串了反馈绕组,直接取自VCC。
波形和楼主公布的—样,也是半个正弦波。 ...
你虽然少了一个L1,但你加了一个反馈绕组(类似传统电蚊拍电路),可以起振的,由于反馈绕组需要需要变压器增加一个次级线圈更麻烦,才使用了L1,上面电路就是通过L1在反馈环路中引入了延迟,让谐振变压器和电容有足够的时间去充放电,从而产生大幅度的电压。
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科技改变生活ok作者
8年4个月前 IP:四川
801601
引用 shsyfsh:
另外有个问题值得思考。
无源LC并联谐振,是个衰减振荡。  理论上,只要我们适时向谐振环注入电流,这个谐振就成了有源,可以维持正弦变换。

那么你这个电路应属于串联谐振吗?

如果要维持单管标准正弦波,可能要改为正激吗?
那个市电全桥ZVS就是并联谐振,L1电感起着移相的作用,实现零电压开通和关断,如果把L1去掉,就成了一个纯粹的硬开关
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科技改变生活ok作者
8年4个月前 IP:四川
801602
引用 王秋冬:
第一个电路确实很新颖,具体原理是什么呢,麻烦版主给解释一下,它是如何启动的。
Q6和Q8组成一个推挽输出,Q9和Q11组成一个推挽输出,刚上电时,先看下面两个IGBT3和4,18V独立电源+18V通过左侧R6拉高IGBT3门极,右侧也会有同样的动作,假设IGBT3更先相应,则IGBT3的源极电位会抢先变低(接近0V),再看右侧,IGBT4的门极电位就会通过D6被拉低,此时IGBT4关断,现在来看上管IGBT1和2,此时IGBT5驱动管的门极电位为+18V,IGBT5导通,则IGBT1的门极电位会由于IGBT5的导通而被拉低,IGBT5关断,与此同时C1会通过D7而被迅速充电,此时IGBT6的门极电位会由于D6而被拉低,IGBT6断开,此时光耦PC817的光驱两段便会有18V压差,通过470欧限流驱动PC817导通,这是C2通过PC817迅速给IGBT2的门极供电(C2在上一个周期被充满了电存储在体内),IGBT2导通,好,分析到这里,此时IGBT2和IGBT3同时导通(接近同时),IGBT1和IGBT4关断,形成一个桥臂。这是一种情况,另一种情况是假设上电时IGBT4先导通,则IGBT1和IGBT4就会同时导通,IGBT2和IGBT3同时截止,形成另一个桥臂,电路只可能工作在这两张状态,如果这两个状态的交叉点是一个谐振负载,那么这两个状态就会被交替循环,因为谐振负载端是一个纯交流电压,这个交变电压会随着时间来改变这两个状态,电感越大,电容越大,则电感电容充电到峰值电流和电压(饱和)所需的时间越长,条件的改变就会被推迟,则振荡频率越低。电路在工作时,变压器端会产生1000V左右的高压,IGBT1~6的耐压要求高于500V,次级圈数尽量低,初级一般用磁芯直径2cm,铜线直径1.5mm以上绕制60圈左右,谐振用一个0.33电磁炉电容即可
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科技改变生活ok作者
8年4个月前 IP:四川
801603
引用 科技改变生活ok:
那个市电全桥ZVS就是并联谐振,L1电感起着移相的作用,实现零电压开通和关断,如果把L1去掉,就成了一个纯粹的硬开关
对,只要向无源LC并联电路注入与谐振频率相同脉动直流电流信号或纯交流信号,在LC两端就会产生一个纯交流正弦信号,因为LC谐振器本身就是一个高性能带通滤波器(带宽非常低),注入的电流信号里只有谐振频率的正弦才能被余留下来,当然如果注入的信号频率与谐振频率相同那么就是基波(幅度最大)被留下来(最好),如果注入的信号含有谐振频率的谐波,LC两端就会产生正弦,如果信号内不含谐振频率的谐波则LC端就会留下幅度很小的畸形波。
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改装pcp
8年4个月前 IP:广东
801648
起动就炸机了。不信试试。
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shsyfsh
8年4个月前 IP:上海
801653
先谢谢楼主的回复。

要说明的是:      我和楼主在前帖中说的内容,—直都是在围绕那个单管电路的反激和正激。
楼主有回答中多了不少桥式的内容。   还是沒明确单管的是 反激或正激。
更遗憾的是单管的图都不见了。
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飘飘飘
8年4个月前 IP:广东
801700
关注一下,楼主什么时候搭个电路上实测波形这样更有说服力呀。
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金坷居士
8年4个月前 IP:北京
802046
pc817的速度堪忧
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灬小猫
8年4个月前 IP:上海
803360
单管那个图为啥删掉了呢
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novakon
8年3个月前 IP:日本
803654
817开启延迟,td

QQ截图20160111005808.jpg


感觉td与楼主图不符。
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