一个555+图腾+场管推高压包,求改进建议
小猪2016/03/08高电压技术 IP:北京
做了个555+图腾+场管推高压包,贴出来大家对改进有什么建议请回复~~~
首先是电路:
电路.png
其中,R7为多圈电位器,由于是多圈,接上后对G波形有点影响……在未接高压包时R7调整为使G高电平为4.5V(或多一点点),
使用的场管IRFP264的开启电压为4.5V,设置该电位器是希望可调功率。
初级是磁芯上自绕7匝,电源12V。
空载时:
RA2K2_RB40K_空载.png
次级短路时:
RA2K2_RB40K_放电.png
取样点均见电路。
不知怎样改善。
次级输出(5x1M+1K电阻分压,测的是1K电阻两端的电压):
RA2K2_RB40K_次级(5M-1K分压).png
算算峰值大约2.8KV……
最后是放电图啊……
IMG_20160308_144812.jpg
请大家提提意见,怎样改善之。 IMG_20160308_144812.jpg
RA2K2_RB40K_放电.png
RA2K2_RB40K_次级(5M-1K分压).png
电路.png
RA2K2_RB40K_空载.png
来自:电气工程 / 高电压技术
9
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~~空空如也
smith
8年2个月前 IP:广东
811672
这个接5V的时候能拉多长的弧
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小猪作者
8年2个月前 IP:北京
811675
引用 smith:
这个接5V的时候能拉多长的弧
接5V……看你电源功率,我这个VGS=4.6V,如果5V的电源功率够同时也调R7到VGS=4.6V,应该是会短一点点,如果电源功率够,调R7到最上端,应该会比这个长点(初级电流会到3~4倍)。参考IRFP264的典型输出特性曲线……
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小猪作者
8年2个月前 IP:北京
811676
引用 smith:
这个接5V的时候能拉多长的弧
主要是想看看怎么样改善拉弧时的波形,减少MOS的发热……
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奇侠
8年2个月前 修改于 8年2个月前 IP:安徽
811739
楼主用的是irf264,跑去百度文库看了下datasheet,这个管子的VGS能达±20V。
irf264.png
建议把三极管图腾后面的电阻分压去掉,直接驱动MOS的G。
楼主使用了4.5V驱动MOS管,再看datasheet,这个管子的VGS(th)的最大值有4V。
1.png
仅使用4.5V的驱动电压,MOS仅处于刚导通状态,Rds与VGS=15V时的Rds相比
大一些。自然发热就大一些。
建议把555的供电电压提到15V。
至于调节功率问题,可以考虑调节555输出的占空比来达到调节的目的。初级可以
串上电容搞成谐振,这样功率就上去了。
最后建议LZ参考一个帖子:
https://www.kechuang.org/t/46425
PS:若描述有误,技术不足之处,望请原谅。
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小猪作者
8年2个月前 IP:北京
811770
引用 奇侠:
楼主用的是irf264,跑去百度文库看了下datasheet,这个管子的VGS能达±20V。

建议把三极管图腾后面的电阻分压去掉,直接驱动MOS的G。
楼主使用了4.5V驱动MOS管,再看datasheet,这个管子的VGS(th)...
谢谢!
刚开始的时候使用分压主要是考虑调功率以及开始时用的线路太细,要限制电流。不过换了厚实的导线,下次可以试试去掉分压调占空比。
另,关于电容的问题,我这个电路里用的是并联,一直不太清楚什么情况下应该用并联什么情况下应该用串联,以及优劣,能否说说?谢谢。
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大漠雄鹰
8年2个月前 IP:广东
811788
不需要图腾,555直接驱动场馆即可。不过我一般不这样做,我用3525双边驱动双MOS推彩电高压包,输出有50KV,拉唬近4厘米,质量差点的高压包一两个回合就击穿了。
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csaaa
8年2个月前 IP:浙江
811883
不要用电阻调节功率,场管在电压不足时一样工作在不饱和区,会很烫手的。G点电压必须高于阀值20%以上。电阻可以用力调节555的占空比
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小猪作者
8年1个月前 IP:北京
812253
引用 csaaa:
不要用电阻调节功率,场管在电压不足时一样工作在不饱和区,会很烫手的。G点电压必须高于阀值20%以上。电阻可以用力调节555的占空比
但是试着调高了栅极高电平电压并拉弧后555被损坏,不知道是为什么……损坏后能振荡,但是信号电平一直很高,低电平处仅低了1V左右。
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