想研究一下红外热成像的原理,了解到目前主要有两种热成像的技术,一是氧化钒(VOx),二是多晶硅,这两种技术都是高科技,对大部分国家都禁运的军事技术。
所以说对于普通人来说,自制VOx类的传感器就别想了,多晶体硅也别想了,除非你有大型微电子材料实验室的仪器设备。
我转而把目光投入到另外一种材料,过去被响尾蛇导弹采用的硫化铅(PbS)上面。
按照网上的说法:
硫化铅是一种重要的窄禁带半导体材料,在室温时,其能带间隙约为0.4eV,波尔激子半径则为相对较大的18nm。硫化铅对于红外辐射很敏感,非常适合应用于红外探测;同时,硫化铅也在二极管激光器、太阳能电池等领域有广泛的应用。
实际上获取材料不是难事,色谱纯的硫化铅也可以买到,,但是问题的难度在于我们获得的硫化铅都是粉末材料,如何让它生长到玻璃基板上并连接电极呢。
这让我想起十年前的光敏电阻,那时的光敏电阻长似乎也是这种材料的,看上去不想是单晶纯的,而是用某种胶结合的,工艺比较简单
如果找到合适的方法,能够自己制作光敏电阻,再制作四像限的探测器,最后扩展到CCD也不是没有可能呢。
当然国家没有继续使用PbS 做热成像,应该是PbS有自己的缺点,但不管如何,业余研究应该是个不错的方向
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