rb-sama
千古风流
会员 专家 学者 机友 笔友
47
文章
1489
回复
5
学术分
94.55
科创币

曾是化学爱好者转到火箭爱好者最后变成电子爱好者的科创爱好者。

2010/05/02注册,2 天前活动
支持支持,想起我之前用3D打印做过的某物模型。这种触发结构和我的一摸一样,我谈一下经验,需要注意的是扳机靠微动开关触发。是会存在一段距离的回差,由于杠杆的作用,微动开关的有效弹性距离是有限的,需要精确调试,而且很容易疲劳。建议用二级扳机结构,或者和我一样用一根小的拉簧扣在扳机上,辅助复位。再就是打印精度的问题,LZ的结构件可能需要切片软件支撑做的非常好,否则与热床接触面会粘连。普通FDM的可能比较...

这个灭弧光纤操作很是有趣

漂亮,把脉宽开大些电弧更粗。

这个电路看起来是FM的啊??驻极体改变电压,并联电压给振荡器供电是幅度致结电容变化原理吗?

奇怪,为什么没有全电压测试视频呢。

比较难DIY的喷管部分建议找机加工做几个,利用好现有资源整合也是能达到目标的。

龙傲天大人,你可拉倒吧,图片里胶带一尘不染,你在时间胶囊里用了几个月?何况用几个月就叫寿命长,你怕是对寿命长有什么误解。你“发明”的这玩意儿,电炮原理里面有相应的理论,前辈们已经把利弊说的很清楚。电刷即使做灭弧措施,也不可避免会产生热蚀和对弹丸的干扰,精准度和寿命是有先天缺陷的。我只是在阐述一个事实,你莫名其妙炸什么毛?你能打钢板关我什么事,弹弓也能穿薄钢板,很牛逼吗?OKay

让我来猜猜,内部线头触点机械关断,多级加速。很早之前youku上有一个视频,用这种结构的CG能多级破啤酒瓶。很老的方法,因为寿命有限,实用价值不大,玩这类人很少。

@钢珠子母弹 ,多谢指教。我觉得BUCK功率提高需要注意的是拓扑结构和控制模式,是否工作在电感的最大电流饱和点。工作在BCM临界导通模式中,这样可以把磁性元件转化利用率提升到最大。关于你说的最大障碍是同步整流,我并不认同,我认为这是保证拓扑结构工作的基础,他的最大作用是提升效率,因为用大功率超快回复续流二极管也是可以解决的,只是损耗较大。

解决方案 1:磁环反着穿线试试 2:选效果最好的一个方向 多绕一圈 一圈不行就多绕几圈

顺路晒一下我的升压板,3.7-4.2V输入,升压到600V的, 600V 120uF电容,升压满3秒左右。最大功率10W。 效率78%,自激RCC,功率管D882. #{r=280512} 这种功率等级,强推RCC,效率高,波形好,体积小。

HY系列的用过,有很多大电流低压MOS。 sinopower可以考虑一下,现在出货周期能有6-8wks,台湾品牌。 最大功率的一款mos 28A 600V。

拓扑结构:全桥型LCC+高压分压反馈 功率器件选型:第六代FS-Trench IGBT单管 均流并管 倍压器件选型:成品灌封倍压模块 驱动电路选型:ICL5101经典驱动 重点KEYs:高压电路绕组匝数多,排布密集,LCC电路能够抵消次级高压绕组寄生电容参数带来的无功功率损耗。 LCC电路的软开关特性,能够把功率管的开关损耗,尽可能的降低,并且可以实现变频调功。 功率部分采用FS-Trench I...

然而还是有泄密可能,被删了。

放电管还是挺靠谱的,不过论坛里好像一台多级感应的电炮都没出现过。 是有什么技术难题在困扰吗?还是效费比不高。

对于你上面提出的的问题,其实都可以在datasheet里找到答案。 用这个片子对RTD做测量,官方提供以下三个方案 #{r=279449} 1:简单的线性计算公式带来的误差范围如上。 这种方案显然不符合你的项目要求。 #{r=279450} 2:拟合公式来进行精确函数计算补偿,不需要你说的自己测点做拟合。 这个公式是满足IE751标准的,datasheet中有相关描述。 有快速浮点计算能力的嵌入...

分辨率是 0.03125°C,我做了均值滤波,均值滤波后输出固定的值。 当前温度与下一次采集的温度差低于0.125°C不变,这是为了避免PID反复积分。 原理是在最小采样周期,温度不会瞬变。 PT100传感器的等级与标准确定了测量温度的值,这个是可信的,温度差同样可以通过标定来解决。 没太了解你说的拟合函数问题,如果用软件来测值太麻烦了。 MAX31865是集成在里面的,直接读真值。

前段时间刚做完一个气相色谱仪里程控线性升温的项目 我觉得我可以回答这个问题233 - 徐版说的PT100自发热问题是其一,这一点很重要,所以供电电压必然不能很高。 这就需要很大的放大倍数给单片机采集,所以前端要做到低噪。 如果要很精确,恒压供电肯定是不靠谱的,一般是用运放与基准源搭成恒流源给pt100供电。 标定之后,仪用放大器输出放大之后的电压仅与增益*I*R有关,这样可以得到不错的温度分辨率。...

这种控制逻辑需要跟随反馈波形上升下降沿、即使周期轮询或者中断响应,1/70=14.2ns。 还需要同步处理灭弧信号,最精简的写法也需要好几个周期。 而CPLD的门延迟为5ns左右,而且能做一些并行信号的处理。 我觉得从性能和成本以及开发难度来考虑,STM32F3都是不如CPLD用在这个项目上合适的。 还有一种我觉得比较可行的方案是Cypress的Psoc 6 系列内嵌一块小可编程逻辑单元,成本比较...

愿闻其详,F3系列有内置PGA,可以做过流保护。 但是1us时间数量级的方波信号上升下降沿同步,以及一些触发逻辑,用单片机的资源怎么实现呢?

改主题

“计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗?”这个“效率”指的是根据理论值算出的相对于速度的“归一化效率”值,不是能量上的效率值,所以不需要平方。 为什么600V的管子楼主用到660V,并且一定会有关断尖峰的情况下,还未击穿?:1:桥式中的快恢复二极管有能力回收和钳位两个功能;2:薄膜电容本身有较强的吸收功能;3:放电后薄膜电容本身电压也很低了,吸收能力增强了;4: 600v是管子的标称值,不是...

那个效率……也没说是“能量效率”嘛……可以认为,那个“效率”被定义为“实际出速/楼主提到的理论出速”……毕竟只是个说法问题……[/quote] #{r=279089} 实测数值与预期数值之间的比例,可以称为预期收益比。 但是没有所谓“能量效率”的概念,效率(efficiency)即是能量,没争议。 用词严谨点不是坏事

比较奇怪一楼用 Quote: 5级600v时的实测平均值: v = 35/0.408 = 85.784m/s 效率 = 85.784/147.675 = 58.089% 计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗? 这样计算效率的方式,存疑。 - 另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的,甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。 为什么600V的管子楼主用到660V,并且一定...

哈哈哈哈

看了视频慢放,出手的时候很明显有延长的软带状物体。 没猜错的话,作案工具应该是专门的一种可以用弹弓弹射的飞镖,威力很大。

必先利其器。 买个玩具电桥呗,才100多块钱。

V Switch有个原理上的问题。副可控硅需要承受主可控硅上全部的电流才可能让主可控硅关断,然而受可控硅电流上升速率限制,需要设法降低副可控硅上的电流上升率来避免它烧毁。这样的话,首先关断用的电容就需要比较大的容量而且需要是无极性的,这样的话这个电容占的体积就会很大,其次限制电流上升率所用的元件本身需要占用一定的体积重量。考虑到这些地方占的体积和重量,用这个结构可能反而不如干脆不关断来的划算[/q...

V Switch有个原理上的问题。副可控硅需要承受主可控硅上全部的电流才可能让主可控硅关断,然而受可控硅电流上升速率限制,需要设法降低副可控硅上的电流上升率来避免它烧毁。这样的话,首先关断用的电容就需要比较大的容量而且需要是无极性的,这样的话这个电容占的体积就会很大,其次限制电流上升率所用的元件本身需要占用一定的体积重量。考虑到这些地方占的体积和重量,用这个结构可能反而不如干脆不关断来的划算[/q...

V Switch有个原理上的问题。副可控硅需要承受主可控硅上全部的电流才可能让主可控硅关断,然而受可控硅电流上升速率限制,需要设法降低副可控硅上的电流上升率来避免它烧毁。这样的话,首先关断用的电容就需要比较大的容量而且需要是无极性的,这样的话这个电容占的体积就会很大,其次限制电流上升率所用的元件本身需要占用一定的体积重量。考虑到这些地方占的体积和重量,用这个结构可能反而不如干脆不关断来的划算[/q...
ID:{{user.uid}}
{{user.username}}
{{user.certsName}}
{{user.description}}
{{submitted?"":"投诉"}}
请选择违规类型:
{{reason.description}}