文号
t48091
阅读
6223
回复
8
收藏
6
boost+rcc
2012/07/16
IP:广东
简单的自激升压电路,昨晚进行测试,发现105的换成103,102的效果更好些,这个电容太大了启动不了,不要这个电容也可以,只是我加上想让开关管零电流关断,因为boost升压比不高,可以再改进一下,把主线圈换成自耦形式效果更好(自耦形式漏感损失很小),自耦部分10匝+100匝,反馈部分4匝,这个电路优点在于简单,容易启动,不用芯片,成本低廉

话说,这个是随功率变化自动变频的电路,电路看似很简单,有人能分析出自动变频的原理来吗?
P1000427.jpg
+1
科创币
听我说瞎话
2012/07/16
请标明电感量和输出电压
+50
科创币
jrcsh
2012/07/17
14年5个月前IP:未同步
421937
1楼
不懂你想表达什么。
引用
评论
14年5个月前IP:未同步
421958
2楼
请标明电感量和输出电压
引用
评论
14年5个月前IP:未同步
422100
3楼
21263A126-0.gif
引用
评论
14年5个月前IP:未同步
422139
4楼
回 3楼(阿飘先生) 的帖子
二极管的耐压有怎么高吗?1N4007的耐压不是1000V吗?怎么可以耐压20kv?
引用
评论
14年5个月前IP:未同步
422155
5楼
回 4楼(bt3) 的帖子
串联的...............
但是耐压还不够高...........
引用
评论
14年5个月前IP:未同步
422171
6楼
回 4楼(bt3) 的帖子
好好看图,二极管是串联的,但图的参数也有虚标。
引用
评论
MicroSound作者
14年5个月前IP:未同步
422373
7楼
1308787927-479429.jpg
发个以前的分析图,这个电路中,rcc中的基极电容和基极二极管是分析电路变频的关键
说说我的理解,

C10:第一个周期在导通时刻C10被正向充电,关断时C10被反向充电,以后的周期中在导通时C10将上个周期反向充的电开始放电和反馈绕组的电压叠加,加速导通,在上个周期中,负载越大,电流变化率越高,C10被反向充的电压越高,在下次周期中放电时间越长,周期越长,频率越低,因为是在rcc反激中,负载大小是不直接影响本次导通时间的,反激期间影响的只是C10被反向充电的电压,在下个周期中才表现出来

这样就从微观过程中解释了,为什么负载越重,频率越低,rcc在反激放电期间,对负载放电越快,电流变化率越大,那么对基极电容反向充电越多,那么在下个周期导通时,电容被反向充的电开始放电并且和反馈绕组的电流叠加,基极的驱动能量越大,导通时间就越长,我看好多人分析只从单周期分析,容易忽略上周期对本周期的影响或者本周期对下周期的影响

对于基极电容大小对频率影响不明显的现象,我是这样理解的,改变反馈电容的大小后,在反激期间反馈线圈对反馈电容充的电压升高,)以适应反馈出总电量的平衡关系

如果要验证这个过程很简单,可以在C10不变的情况下,改变负载,检测C10两端电压,或者负载不变,改变C10,检测C10两端电压

D1:有没有D1,电路的反转条件大不一样,没有D1时,在电容电压饱和时就可以反转,加上D1后,只有靠其他的电路来辅助,比如R1限流或者输出光耦等等,如果没有其他辅助电路来限制电流的增加的话,要么等到磁芯饱和,要么等到开关管饱和来实现反转,但是这样很多开关管坚持不住就挂了,

假设没有D1,电路中Q1驱动电流上升最大值和上升速率受限于C10,功率难以做大,加上后驱动电流上升最大值和上升速率可以突破C10的限制,也就是没了C10的限制,才更加需要辅助电路来限制电流增长的最大值,否则电流可以达到Q1饱和或者磁芯饱和,结果往往是干掉Q1
引用
评论
笔记
{{note.content}}
{{n.user.username}}
{{fromNow(n.toc)}} {{n.status === noteStatus.disabled ? "已屏蔽" : ""}} {{n.status === noteStatus.unknown ? "正在审核" : ""}} {{n.status === noteStatus.deleted ? '已删除' : ''}}
  • 编辑
  • 删除
  • {{n.status === 'disabled' ? "解除屏蔽" : "屏蔽" }}
我也是有底线的