不可以，DS间承受的是谐振电压，并上二极管必定烧二极管或者电源
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一个关于zvs中mos管使用的问题
看过一个帖子说在zvs中mos管应选用耐压为输入电压的4倍才可以。有两点不懂的是这里所说的mos耐压是不是指漏极D和源极S之间的耐压？如果是可否在源极和电源负极之间串联一个耐压高点的肖特基二极管或者快恢复二极管使irf3205这样耐压低的mos管可以用在zvs上。求大神解答
啊啊，我看错你的描述了。不过我还是想说这样不合理。串联的管子上的耗散功率很难处理，有这个想法还不如用小点的电源电压
我以为你会在DS上并一个二极管。。。。
我以为你会在DS上并一个二极管。。。。
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回 楼主(yuyue3106) 的帖子
你这么做可以防止负压造成的击穿。。但是DS击穿二极管做不了什么。。顶多把耐压增加了1-2v也就是二极管的导通电压。。
再说zvs属于并联震谐震谐漕路电压很高，该击穿还是要击穿的。。不让其达到需要的振幅就无法达到zvs的目的。。
再说zvs属于并联震谐震谐漕路电压很高，该击穿还是要击穿的。。不让其达到需要的振幅就无法达到zvs的目的。。
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