(接上回)
由于采用了GDT驱动MOSFET或IGBT,GDT中的磁场通常是推挽磁场,驱动信号也就是交流信号而不是直流脉冲信号,采用交流驱动MOSFET,也就是在其关断的时候给G极加一反压,有很多好处:避免了关断状态下VGS=0时,G极为高阻态或输入电阻过大造成G极引入杂散信号造成MOSFET误导通,如果是IGBT,关断时给G极加反压还能有效抑制擎住效应,提高电路的可靠性
MOSFET的G极,正反特性相同,反向击穿电压也是通常为20~30V,通常也把电压限制在16V以内,所以稳压管要采取双向限压
稳压管正向相当于普通二极管,大约0.7V导通,反向击穿电压也就是它的稳压值,大于稳压值导通,反之关断。
双向限压的方法就是两个稳压管反向串联,正反特性相同。假如是两个12V的稳压管反向串联,反管是12V击穿,正管是0.7V击穿,则要把它们全部击穿就需要12.7V,稳压值也就是12.7V,反向同理。所以电压就会被双向限制在12.7V。
(欲知后事如何,请见下回分解)