（接上回）
由于采用了GDT驱动MOSFET或IGBT，GDT中的磁场通常是推挽磁场，驱动信号也就是交流信号而不是直流脉冲信号，采用交流驱动MOSFET，也就是在其关断的时候给G极加一反压，有很多好处：避免了关断状态下VGS＝0时，G极为高阻态或输入电阻过大造成G极引入杂散信号造成MOSFET误导通，如果是IGBT，关断时给G极加反压还能有效抑制擎住效应，提高电路的可靠性
MOSFET的G极，正反特性相同，反向击穿电压也是通常为20~30V，通常也把电压限制在16V以内，所以稳压管要采取双向限压
稳压管正向相当于普通二极管，大约0.7V导通，反向击穿电压也就是它的稳压值，大于稳压值导通，反之关断。
双向限压的方法就是两个稳压管反向串联，正反特性相同。假如是两个12V的稳压管反向串联，反管是12V击穿，正管是0.7V击穿，则要把它们全部击穿就需要12.7V，稳压值也就是12.7V，反向同理。所以电压就会被双向限制在12.7V。
（欲知后事如何，请见下回分解）