提几个建议啊，有的已经有人说过了，不过没有提出具体的解决方案，有的我考虑出来的，就在这里也说一下：
1、IGBT截止的时候，为了缓放而防止冲击电流烧掉管子，不建议用单片机PWM减小占空比的方法，这样会产生一连串的振荡。如果直接给IGBT的栅极对地电阻上并接一个适当容量的电容来给关断做缓冲是不错的，不过缺陷是会稍稍减小一点导通的速度，不过不要紧，因为充电时电压直接充给电容，所经过的R很小，或是也可以不经过R直接到这个缓冲电容。上，而把R设计到缓冲电容后再到IGBT栅极上，这样放电时通过栅极的泄放电阻会比较慢，而导通速度则比较高。注意单片机到IGBT间加一级晶体管的电压转换电路，防止IGBT导通不良。不要图省事用一个NPN管或NMOS加上拉电阻做反相器就接到IGBT上，这样会让电容充电变得很慢造成导通速度下降，严重影响子弹速度，而是先用一个N管控制一个P管，由P管的集电极(或漏极)直接连接电容，再经R到IGBT的栅极即可。
2、关断位置问题：楼主讲到有两个光电检测器是用来检测线圈中间的，这种设计在老外的作品中很常见，不过我觉得不应该在正中，而是要提前一点点，这样是给管子一个关断的时间。上一个问题中提到要让管子缓冲一下慢关闭，这样等于线圈还是会有一些电流的，所以如果已经到达中点才开始关断，线圈中残余的电流势必会将子弹向回拉导致发射力减弱，所以要设计到让子弹到中点时已经关断完毕，或是已经关断到很小能量，这样才能让子弹有更高的出射速度。不过同时应该注意，子弹越接近中点时受到的动力越强，所以必须确保子弹尽可能的受到最大的吸引力同时又不被拉回。
以上两点分析，请大家指正。我的电磁枪也正在试验中，与LZ相似的是也采用单片机控制，我用的是TI的MSP430F2011。
