我重新选择了MOS管，翻了许多DIY电子负载的帖子，对比了多款MOS的参数，包括IRFPS3810（580W）、IRFP4368PBF（520W）、IRFP250（180W）等等，发现还是IRFP250比较可以，功率是实打实的，其他管子的功率很多是虚的，一上高压就萎了，还发现了IRFP250N（注意多了个N字尾）倒是个废柴，一字之差竟有如此大的性能区别，下面来解说一下。


先来看IR品牌的IRFP250，参数为：200V、33A、0.085欧、180W。

大家看DC的那条线，DC的意思是持续能承受的功率，例如10ms就是短时间10毫秒的瞬间能承受的功率。
可以看到，最高电压200V的时候，能有0.9A，耗散功率就是实打实180W，全程不降额（当然现实情况是不可能用满的，散热性能会限制这个功率）







再看IR品牌的IRFP250N（注意多了个N字尾），参数为：200V、30A、0.075欧、214W。
乍一看好像比上面的牛B多了，来看看功率曲线。

没有标出DC曲线，最多只有10ms的曲线。
没关系，咱用这个10ms曲线与上面的10ms曲线来参考对比一下。
IRFP250N：最高电压200V * 1.5A = 300W，最高电流4.5V * 60A = 270W
IRFP250：最高电压200V * 3A = 600W，最高电流7.5V * 80A = 600W
可以看出，功率明显萎了很多，是不是不好意思画出DC线了？所以我猜，这个N字尾是针对开关电源优化设计的管子，功率耐量小，内阻更低，工艺成本更低。






再看IR品牌的IRFPS3810，参数为：100V、170A、0.009欧、580W。乍一看参数牛B爆了。


看曲线图，依然没有DC线，只能用10ms线做参考。
最高电压100V * 4.5A = 450W，最高电流3V * 300A = 900W
可以看出，低压的时候很牛B，一上到高压就功率折半，高压的瞬间功率耐量居然比标称功率580W还低，降额严重。
从推测上来说，如果低压时能持续耗散580W功率，那么到最高压折半到290W吧？但我依然不放心，10ms曲线到末尾100V的时候开始出现一了个下滑，鬼知道DC线能滑成什么样？我宁愿老老实实用IRFP250。






再看IR品牌的IRFP4368PbF，参数为：75V、350A、0.00146欧、520W。这电流、内阻参数吓坏我了。


这个有DC线，直接看DC线就行了。最高电压15V * 1A = 15W，最高电流1V * 400A = 400W
我没看错吧？号称520W的管子就只能用到15V？还只有15W？工作电压一超过5V就迅速尿崩到渣也不剩，这参数对电子负载来说已经是垃圾到爆了。





【总结】
研究了这么多管子，发现了一些规律：
1、越是低内阻的管子，就越不能上高压吃功率。现在的MOS管基本上都是“HEXFET”型的，通俗的说就是一个大电流MOS里面是用无数个小MOS密麻排列并联而成的，所以我有个猜想，低内阻设计的MOS，都是使劲“堆细胞”，细胞堆的越多，一致性就越难控制，低压大电流没什么，但是上高压了，就很容易出现电流不平衡，只要有一个细胞过流损坏，整只管子就废了。
2、型号后面带后缀字符的，基本都功率缩水，是针对开关电源优化设计的。




所以，回到此帖主题，我已经下单了IRFP250，等到货装机测试。
另外为了避免再烧检流电阻，我也专门订购了几米1.5MM康铜丝，用这玩意检流肯定皮实，爱用几欧就剪多长，我就不信干不过你个破保险丝。
终端恒流小板要重新设计，旧的板子烧个检流电阻都没法换，已经用导热胶封死了