我的想法是：用图腾塔变形后驱动mos管。图腾塔的下面的PNP三极管可以直接用UF4007代替，上面的NPN三极管基极接一个1k欧左右的电阻到对面的D极。振荡后LC回路会产生高于电源电压的电压峰值，这个电压通过1k欧电阻和NPN三极管BC之间的PN结可以储存在一个电容里，并用稳压管稳压，再用这个电容给NPN三极管供电。电路刚接通时可能需要一个二极管加上电阻给电容充一部分电使电路启动。
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关于经典zvs改良
首先470欧电阻对G极充电需要不少时间，这影响在低电压和高频工作时尤为突出。还有，GS之间的12V稳压管，相当于有将近一半的时间接了个上拉电阻，电源电压大于12V时，电源通过470欧电阻对稳压管放电，感觉很不科学。。。此外那个10k欧电阻存在意义没有搞明白，G极如果有电荷，会很快通过各种途径（470欧、UF4007）泻放掉，即使有电压尖峰，10k欧也做不了什么。
楼上这样的方案应该可以改善经典zvs电路空载功率、低压不起振、高频发热的问题。我在multisim模拟过，效果的确很好，G极电压都是直上直下的。。。这样虽然元件数多了些，但是少了两个体积庞大的大功率电阻。
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引用 潜伏:泄放的主要途径应该还是快恢复二极管。即使管子G极有1V左右的因为二极管Vf的残留，也不会使管子导通吧。
10k欧电阻是辅助G级泄放电荷，以及保护静电穿管，不是主要途径但很重要
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