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千古风流
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科创币

曾是化学爱好者转到火箭爱好者最后变成电子爱好者的科创爱好者。

2010/05/02注册,5 小时前活动
V Switch有个原理上的问题。副可控硅需要承受主可控硅上全部的电流才可能让主可控硅关断,然而受可控硅电流上升速率限制,需要设法降低副可控硅上的电流上升率来避免它烧毁。这样的话,首先关断用的电容就需要比较大的容量而且需要是无极性的,这样的话这个电容占的体积就会很大,其次限制电流上升率所用的元件本身需要占用一定的体积重量。考虑到这些地方占的体积和重量,用这个结构可能反而不如干脆不关断来的划算[/q...

V Switch有个原理上的问题。副可控硅需要承受主可控硅上全部的电流才可能让主可控硅关断,然而受可控硅电流上升速率限制,需要设法降低副可控硅上的电流上升率来避免它烧毁。这样的话,首先关断用的电容就需要比较大的容量而且需要是无极性的,这样的话这个电容占的体积就会很大,其次限制电流上升率所用的元件本身需要占用一定的体积重量。考虑到这些地方占的体积和重量,用这个结构可能反而不如干脆不关断来的划算[/q...

V Switch有个原理上的问题。副可控硅需要承受主可控硅上全部的电流才可能让主可控硅关断,然而受可控硅电流上升速率限制,需要设法降低副可控硅上的电流上升率来避免它烧毁。这样的话,首先关断用的电容就需要比较大的容量而且需要是无极性的,这样的话这个电容占的体积就会很大,其次限制电流上升率所用的元件本身需要占用一定的体积重量。考虑到这些地方占的体积和重量,用这个结构可能反而不如干脆不关断来的划算[/q...

但好处就是直接利用后坐力来确定断电时刻,避免受到各种外部因素的影响,比如弹丸重量,尺寸,线圈匝数,电容电压和容量等,在各种情况下都能自适应的表现的最好[/quote]为啥能不受这些东西的影响?[/quote] 这些都是决定拉力曲线走势的原因,但不是拉力曲线本身,每一条拉力曲线都有它的最佳断电时刻,我的思路是找出当前拉力曲线的最佳点,即使外界因素(比如改变了充电电压或换了弹丸等)使曲线发生了变化,...

记得很久以前有一种可以关断SCR的方法,叫V Switch,具体的操作形式是通过一个高压小电容和副可控硅导通。 来产生SCR AK上的反向电压,来实现关断的效果。 这种方式可以产生比IGBT可关断方案更大的能量密度,IGBT恒流有一种方案是用比较器加电流传感器实现乒乓控制。 如果拉力的下降是可以通过加速度传感器的信号预测的,那么V Switch可以比IGBT做得更好

成本高昂,动能低。

我还有个想法是用弹簧来控制一体化的枪管和线圈的后坐距离并提供复进力,再用小磁钢/霍尔器件测量后坐偏移距离来算出后坐力,这个后坐力应该也是正比于弹丸受到的拉力。霍尔器件的响应速度是ns级的,只要能很好的屏蔽掉线圈磁场的影响,效果应该会比较明显。[/quote]一个非常好的想法,但是我觉得可能不需要这么复杂。 是否可以走这样的信号流:管身->加速度传感器->ADC->数字滤波->辨识 用一个加速度传感...

ntc连续启停容易放炮。。 准备用大功率水泥电阻处理铝壳电阻还得想办法安装 [/quote]看见一些变频器方案上,会用水泥电阻预充+继电器短接水泥电阻的方法。 考虑热耗散的话,功率容量可以留大一些。

建议用个NTC+铝壳电阻解决问题233

所以现在的中国,社会上毫无改革,学术上没有发明,美术上也没有创作;至于多人继续的研究,前仆后继的探险,那更不必提了。国人的事业,大抵是专谋时式的成功的经营,以及对于一切的冷笑。   但冷笑的人,虽然反对改革,却又未必有保守的能力:即如文字一面,白话固然看不上眼,古文也不甚提得起笔。照他的学说,本该去“数麻石片”了;他却又不然,只是莫名其妙的冷笑。 即使在现代的某些网络社区里,这种趋势也是很...

引申阅读: 孤狼兄提到的国外爱好者制作的双极ClassE SSTC。 #{r=277402} 驱动板很简单,使用一片STM32F3 series mcu+ ucc27xx驱动芯片作为信号/驱动源。 对两片GaN MOS进行推动,两路输出功率拓扑结构为双极ClassE。(注意是直推6.78M) #{r=277401} 使用GaN氮化镓MOS管设计,体积非常小,型号为GS66508T。 这个管子在国内...

Nice work! 谢谢分析你的经验和图片。 PA系统里,很多时候是把栅极电容当作阻抗匹配的一部分来考虑的。 你提出的问题很有意思,我试着分析下,错了请指正哈! 1:图中小灯泡串联在线圈回路中,其寄生电感Lr与线圈电感L,及线圈寄生电容C共同构成谐振回路。 通过磁耦合由初级线圈与Cds以及附加电容组成的谐振回路,补充能量。 若把整个次级线圈Lr&L+C作为一个谐振系统来看,恰好谐振的时候VSW...

= =。还以为是400K的那种

如果第一级CE输出匹配的时候,考虑到栅极电容作为负载,应当一般情况是处于谐振状态下。 但是以高频烙铁的工作频率来看,用普通MOS驱动电路就足以胜任了哦。

回复:你这次扯淡的内容,见逻辑图第二个内容方框,详见12L。 我已经通过仿真证明二极管的加入,在小TC工作频段不会产生你所谓的“丰富的谐波分量”。 第二我再次申明,我在顶楼没有加入二极管分析频域,是你非要加入二极管引入非线性分析的。你能硬把你的说成是我的? 另:本科信号与线性系统期末94分,不劳烦心。谢谢, 你还是先学学做人吧,把一句话说清楚、说重点,别扯东扯西,你能把我蓝色方框内容回复清楚,就谢...

我已经说得很清楚了,我在用频域分析栅极谐振回路,你又来仿真时域的东西,这能说明什么? 我没有把你说得十恶不赦,我只是在阐述一个大家都看得懂的事实。 在我看来你只是嘴比鸭子硬而已了,明明上面已经说的很清楚了,还在避重就轻说个蛋。 - 补充:你这次扯的东西的解释,见上图第四个内容方框,详见16-21L。 我和另外几位网友的论据+仿真已经说明时域上的问题了,这张逻辑图第一次发挥作用。 我觉得你再这样下去...

为了避免误会,我还是要回复一下。 1:请你分析下我在主楼的仿真到底是个时变系统还是个时不变系统,想想为什么我不加二极管。 2:请你分析下在本工程应用场合下,二极管加入仿真系统有无必要,是否影响结果。 3:至于你是否认为我用正弦波仿真与论文中不同,这张截图能否作为证据。 #{r=277311} - 每个人都有自己认知不足的地方,每个人都有自己进步的空间。 观点求同存异,理论力求逻辑关系明确,这是讨论...

随心随缘,随命由天。

什么情况?。。

嗯 都spice系的,时域我用的是方波仿真。

同频正弦波、方波信号对栅极谐振驱动回路仿真,不会影响最终我希望论证理论结果的正确性。 这在第一次回复你的时候,就已经说明白了。 另外我想告诉你的是,你认为我第一张图里输出的BODE图是正弦信号输入是吗? 我很可以很负责任的科普,BODE图的激励,就是对广谱信号的幅度、相位相应,一定是用正弦波或者白噪声作为激励源的。 采集方式可以分为幅值采样、FFT采样,也就是说正弦波AC激励出的BODE图,是可以...

举阶跃信号例子,完全不方便说明方波信号工况,甚至会产生误导 看来我有必要重申一下帖子的主题了。 我是开贴讨论栅极谐振回路应用带宽、相位补偿作用的。 - 结果。。。 我谈栅极谐振驱动,你告诉我文不对题。 我证明文恰对题,你告诉我波形不对。 我证明波形OK,你告诉我仿真不对。 我证明仿真OK,你告诉我论文电路能应用于低频场合。 - 本帖是我为小TC设计的栅极驱动电路分析, 第一我波形并无问题, 第二...

服气。为何只分析阶跃信号(方波半边) 那么我问你,栅极谐振驱动信号可以简单认为是阶跃信号吗? #{r=277219} 在你第一张草图,电压信号维持平台的时候,由于NMOS的导通,就会产生下降。 我觉得这一点并不难理解。

- =。当然是啊 即使有微小区别,也并不影响我分析栅极驱动电路的频率特性。

开动你的脑筋,想想工作起来会是什么样的情况,再来评论这俩电路是否一样OK? 我只是用LTspice 的电源设置0.1Ohms阻抗,来模拟这一对N+P管。 这么简单的问题我真的觉得你可以理解的。

你可以仿真一下这个电路,看和我仿真的有何区别吧。 第一,善意提醒:你贴的图是驱动波形,不是栅极谐振波形。 第二,给0-10V方波信号接成我电路仿真的模式,属于Push-pull,论文里的接法属于Push由一个MOS完成,Pull由另一个MOS完成,这样接与仿真是一样的。 第三,请弄清楚论文是为了解决什么问题而提出的技术,也请弄清楚建模是什么,打个比方如果我只是分析LC电路的频率特性,我有必要考虑E...

不要避重就轻嘛,我已经证伪了你说的,波形畸变的原因是因为二极管的加入,你可以引申讨论。 #{r=277205}re:这篇论文我早在一年前就看过了,上图是这篇论文的Abstract,是论文的总概况。 不论是主楼,还是副楼以及回帖中的仿真,我都就这种技术的适用范围,与论文中波形产生畸变的可能原因做讨论分析,可以认为是围绕这篇论文做的理论补充。 - 如果你还觉得不一样,欢迎证伪。

“非线性的东西(二极管)…LC回路是不一定能滤除谐波分量的……比如那篇论文里的情况就是没滤掉。” 高Q值LC回路,对谐波衰减的能力是非常高的,对此有怀疑的,你大可可以画个一阶LC滤波器,具体量化一下看看二极管所谓的非线性(那一点儿结电容)能对整体波形造成的影响,我在这就不多引申分析了。 #{r=277204} 来验证一下吧, [color=red]红色线[/color]是方波信号源V3对LC回路的...

也就是说,用更高的频率去激励这个LC,会产生调占空比的效果,好神奇。。。 需要做其他电路措施来实现嘛?

按电路分析,若二极管压降为0.7。 那么应当输出的是一个最高为Vpp-0.7V的方波,从频谱上来看还是一个频率分量与之前相同的方波,只是能量比直接输入低, 如果Cis完全线性,方波中的谐波分量则会被LC电路滤除,从而“平滑”成正弦波, 那么如何从二极管的单向导电性,推出波形畸变呢?愿闻其详。 我更倾向于Cis的非线性,以及米勒效应导致的波形畸变,而非二极管的加入的原因。
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