钢珠子母弹
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2013/03/20注册,2 个月前活动
@rpg-7 2110上臂占空比可以大于百分之五十,但是仍然不能太大,否则自举电容会出现欠压问题,我见到很多上臂驱动是隔离的,最早的是光电耦合器隔离,英飞凌有磁隔离方案,ti的是电容隔离。

这种模式的思路和早期单极性spwm调制的时序图思路类似,前者是均摊上下桥臂的频率压力,这种方法解决了单极性调制下上下桥臂热量不均的问题。楼主的思路是均摊高电流回路从而均摊热量。很好的思路,这样解决了均流。有个事情想问楼主,在高电流情形下igbt的导通压降与体二极管的导通压降相比如何?传统工作模式的时序又是如何用逻辑电路实现的呢?

六花出品 必属精品,软件上实现多相位好像很方便,请问泥之前做的硬件多相交错buck是怎么实现让多个yc3843相位差实现同步的呢?还是说把单个ic的控制信号分为三相?


@1176764177 主要是出于成本考量,后级spwm或全桥逆变的技术很多小厂懒得做,普通的方波逆变电路简单易行,而且如果先升压再全桥逆变或者spwm逆变,后级功率管工作在高频高压状态,如果做的烂,可靠性就不好。

@1176764177 偶,对,我弄错了,老式工频机是方波怼lc滤波,现在的是低母线电压过spwm后变压器升压,虽然波形好看了,但是还是没有省去笨重的工频变压器,不过这样。

@1176764177 工频机其实是方波怼大体积lc滤波强行滤成类似正弦的波形。

@虎哥 工频机的输出波形很烂的还笨重,不过控制电路简单,可能就显得皮实耐操,但是这类机子一般充电部分不带apfc技术,功率因数低自然不足为奇。

楼主能发些电路图之类的具体细节吗,论坛喜欢炫酷,更喜欢细细研究原理

已经收到奖金,感谢虎哥,感谢论坛😊

前辈好久不见,之前一直在用着你的软件在做电炮来着,很好使,近期一直在做给电源充电的升压电源的研究,不知前辈用什么类型的电源?

本帖主要内容围绕基于uc3843的降压型开关稳压电源的设计制作展开,分为三部分:1、电流模式pwm信号源搭建2、真正可行的绕开电流环,进行单环控制的方法3、集成高端mosfet栅极驱动器的应用一、电流模式的简单理解即信号源电路的搭建 uc3843/3842是一款经典的电流控制型脉宽调制芯片, 电流模式pwm相比电压模式pwm而言有着很多优点,问世后逐步取代了后者。二者的差别主要在于震荡器...

关键是什么样的电池,供电电压最好到12v,这样理论占空比不至于过大,否则需要改成耦合式boost,3843三号脚位也需要斜率补偿。

可以自己做的,最常见的就是uc3843或者lnk系列,布线非常方便。3842的布线可以看下我的这个帖子https://www.kechuang.org/t/83101

@奇侠 版主,我已改了帖子的内容了。

我是不敢用,真的很吓人

@浪里黑条 行吧,实在要做一定要小心,不只是设备的问题,我们这边做相关东西的时候的时候一般都是要资深教师全程指导,这玩意真的很可怕,还是那句话,烷基化有很多办法的,别总盯着这玩意。

@浪里黑条 实在要用就一定要做好防护。必须戴放油手套,不能用乳胶手套,必须在通风厨操作,一定不要拿出来。反应完了如果条件允许,必须用碱彻底分解二甲酯后再正常操作,丁腈橡胶手套一般很薄,要是有加厚的一定要确认够厚,硫酸二甲酯最可怕的是皮肤吸收,皮肤吸收量远大于空气吸入量。烷基化有很多办法,别总盯着这么危险的东西。

谢谢虎哥,谢谢论坛

@金化铷 对,常见的碳负离子还有阿尔法碳负离子,炔烃负离子等,革氏试剂使用时注意无水,有条件可以购买手套箱。

(这段是小翠版主和小真前辈告诉我的)其实文中提到的dcm模式buck也有很多优点,比如:环路响应快,开关损耗小,所需电感小,但是磁芯损耗较大,实测dcm模式lm2576模块输出纹波较大,换较大电感后有很大改善,大家用lm系列模块降压时如果发现输出纹波较大可以用这个方法改善。dcm模式下buck boost电路虽然不再符合占空比规律,但仍然有其遵循的直流传递函数,仍然可通过芯片的调制实现调压。

@金化铷 我是指这类东西普遍有异味,具体可能不大一样吧

这玩意有够臭,就是比不上异氰,以前南大化学楼因为异氰泄露丑了两年之久。。。

分立器件自举方案.ms14uc3842boost方案.ms14文中两个电路的仿真文件,可用multisim14打开

@WGC03对,很多低边驱动在内电路中,使用互补mosfet来代替互补bjt,驱动效果是一样的,理论性能更好。

非常感谢小翠版主的指导,没有他我还会停留在开环电源的咸鱼状态。

自四个月以前开始设计和制作buck和boost电路,现在基本掌握了,总体而言,有三大关键点1、电感工作模式的计算2、开关管驱动电路的设计3、pwm信号源的设计第一部分:ccm工作模式计算首先,放上两种电路的最简原理图拓扑结构较为简单,相关原理不再赘述以前,我曾经以为,在上图所示的mosfet的g极和源极之间加上对应的方波信号,就能按占空比规律得到所需的输出电压了。为此我用555时基电路集成芯片搭了...

https://www.kechuang.org/t/48290其实这种升压不需要用专门的pwm芯片,用555即可,方案非常经典,在上面的链接里就有,31楼,用col脚位的电压反馈来拉低占空比实现充到额定电压后关断,推挽变换器的稳压很玄学,与之相比boost和flyback要好得多rbsama版主的这个帖子就是flyback升压方案@WGC03

傻了,碳数错了,不过机理应该没推错

下图是我推的详细机理及相关知识概述机理和楼主最新的一个帖子是类似的,其实都是碳负离子亲核进攻,被进攻的亲电试剂这个帖子里是羰基碳,最新的帖子里是酯基的sp2碳,都有一个共同的特点 缺电子。

粗略推了下机理,主要因该是亲核进攻,请问楼主如何控制引入两个叔丁基后的二酸类中间体脱羧过程中的副产物出现的呢,如果需要的产物进一步脱羧,产物纯度就无法保证,以前一直听说这方面的产物可控,请问该如何控制呢?
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