WangGC
十步芳草
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无神论者, 高低级趣味都接受的人, 皮得要死的死理性派, 立志让变革沿梦境延伸的现实主义者, 实验党学生党

2017/02/05注册,2 小时前活动
最近正在忙另一个项目,很长时间没更新了...前天抽出时间把之前设计的电路搭建出来,在实体上做了一些抗干扰、电磁兼容的改进,修改了一些不合理的设计,现在全部驱动部分(从弹丸遮挡光电管到IGBT栅极电压上升至18v)延迟仅为约450nS,弹丸100m/s经过此段时间位移为十微米级,可以说符合设计要求了。图为测试电路IGBT G极波形,中间平台大概为比较器输出线性-饱和转换造成

的确,角度变化欠考虑了。

多谢指出,不过“延长加速段后的管材”和规定长度其实没多大关系


再提另一件事,应该尽可能延长加速段后的管材长度以提高弹丸受力不平衡的影响,能够提高精度。

支持新作品的研发,外形设计赞,看来这类外型设计已经成为大家公认的标准(笑。不过目前看来磁阻不应再局限于简单的控制电路,应向参数优化、模型改进上努力。而在本人看来,磁阻这个方面也并无什么可创新的领域了,可以尝试进军最近开始初见优势的感应、重接炮的实验。至于我那个工程还将缓慢继续下去,说来惭愧啊...

资磁资磁

这大得吓人的emoji...如果照上文的线圈损耗情况,估计线圈是先于固定装置失效的(捂脸,一提到螺丝就又想到一个点子,比如3dp一个线圈和固定器的壳子,把线圈和一个直径稍小的四氟/橡胶垫圈一起通过四周的螺栓叠放固定起来,原理和之前的图一样

结合一下3楼的方法,大概在线圈周围用弹性带状材料(如比较软的橡胶条)缠一下,这样材料高出线圈的部分就形成一个直径略小于线圈(及弹丸)直径的部分,就应该可以卡住弹丸,不过耐久和对弹丸稳定性的影响未知随手画的图...勿喷

关于如何固定弹丸...最简单的就是找块口香糖或类似的东西粘在线圈上...23333

几位不要急,如果能有详尽的理论计算或模拟数据,我想这是比较有说服力的,如果两位有时间把理论依据甚至实验过程发到这里,验证BCM相对于C/DCM两种的优势(比如磁芯利用率-大概是BCM高、等工作条件下折合铜损铁损的效率...等)的话,我很想对此借鉴学习。我认为我们也正需要这样的学术探讨。如果各位没有意见的话,我会开一个用于探讨高压电容充电技术的专帖,也算是整合一下相关资料。

感谢B君推荐。看来我对于反激变换器的印象还停留在上世纪90年代...不知道这个高功率密度方案的器件温度会不会有问题,我会做一下实验。

FET和BJT的耐压还好,同等级规模耐流实在比不上SCR,在电炮上最常见的是成本惊人的海量并联...

嗯谢谢,现在也是这个想法。

谢谢您的建议。不过我的设想是制作一件性能优秀的整机而不只是加速部分,现成能够达到此功率的高效率升压模块我还没有找到,所以想要自己做。而这次实验了“正激推挽式电路”后我的设想是将它的设计流程开源,这样既能达到资源分享的目的,也能够筛除技术水平不足以致无法保证自身安全的盲目尝试人群。目前我打算加速部分与升压电路并行推进,加速部分的电路已经出图了,还差样机的整体连接测试。

驱动电源PCB出厂,制成并调试了一套,经测试性能稳定,纹波稳定在60mv左右,符合设计指标。18v及-5v输出可各承受长时间高负荷(共计75w输出)工作以及至少十秒的输出短路,功率管温度低于60℃。至此驱动电源部分完成。驱动电源及输出波形下一步是电容充电高压电源的研制,由于上文中的各项要求,初步计划使用“推挽正激”拓扑,可以在一个导通周期内同时利用两绕组,并且一定程度上避免了推挽的偏磁硬伤。相关论...

东西收到了,与半桥大砖体积对比如图,此模块参数相当于大砖一个桥臂...惊叹于半导体微型化技术上的进展

十个已收,据说还剩两个,是高端好货啊

推挽拓扑,功率大概2、3kW左右,也是稳压恒流的控制环,现在驱动电路大概出来了,变压器比较头疼,准备用铜带绕

事实上与坛内的各类作品大小差异不会很大,这里容易造成体积问题的是大功率升压模组,也是目前正在设计实验的,使用两副EE55作为变压器磁芯,开关频率已经达到300kHz,预计可以较大的压缩体积,其余部件均与正常无异。

近期因为其他的一些事情和临近期末一直没有更新,现在项目继续。之前制作的驱动电源莫名无法启动,在排查布线和元件后无果,遂查uc3842资料,发现UVLO阈值在16v,而为了驱动MOSFET方便我用12v做芯片供电电压,此电压下uc3842触发UVLO,罢工。于是替换为同类型的3843,阈值约为8v,稍加调试后成功达到指标,在20欧,6欧电阻分别连接在18v,-5v输出时,纹波峰-峰只有60mv左右,...

鼓励新作啊,可以附上制作过程和整体电路

的确...之前考虑过短路电流的事情但没有注意,受教了

简单计算一下得出变压器最大输出电流约10mA,已经比较危险了。不建议触摸电路中任何高压部分(36v以上),摸高压电弧如果放电回路中无电容,小功率是可以接受的(20w左右),如果制作的话要注意安全

最近刚买了一打西门子的那个薄膜,内阻比电解小一个数量级

各位坛友新年好!

耐流大,皮实,便宜,好驱动,没别的原因而且电磁炉上的25120那点耐流根本不行

之前不是有人用相似的方法证明了0.9999999...=1,那乘十后同样成立

感觉能量足以触发聚变的质子束流不是能用一般强度的磁场显著改变或聚焦的...

这几天把驱动IGBT的正负压隔离电源设计出来了,参数为in:22v-26v out:+18v 2A、-5v 2A,各路输出峰值电流3A,3842反激拓扑,电路图如下(因为只需要一套所以电路图手绘,用的试验板)[均为理论设计还未实际测试,电路仅供参考]

如果提高效率的话建议逐级测一下电压波形和光电触发波形,调一下线圈和光电的距离。470uf对应这个线圈前几级感觉有点小了,建议在前面操作的同时试验并联电容个数使放电结束时刻与子弹顶部出线圈时刻尽量相同,不过温度影响各项指标...SCR的时序调整只能差不多这样,打几炮之后效率、动能又下来
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