芯片制造的基本步骤 MOS管制造NPN
MOS 管的英文全称叫 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型
芯片制造过程复杂且精密，主要包括以下几个关键步骤：
芯片设计：根据需求生成设计图样，这是制造芯片的基础
晶圆制备：从高纯度的硅元素（99.999%以上）开始，经过熔化、提拉等工艺制成硅晶棒，再切片成晶圆片。
晶圆涂膜：在晶圆表面涂覆光阻材料，以增强其抗氧化和耐温能力。
旋涂物
（光刻 感光蓝油 和 离子注入 磷酸）
光刻：通过光刻技术将设计图案投射到晶圆上
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由于旋涂的时间和光刻的时间成反比，所以在这里我旋涂的时间为1分钟，那光刻的时间为38分钟。
刻蚀并使用刻蚀技术去除多余部分，形成电路图案。
加完氢氟酸后放入刻好的芯片再加铝粉。放到温水中或者稍微热一点的水中。浸泡个10分钟。
离子注入：在晶圆中植入离子，改变其导电特性，形成晶体管等元件。
在离子注入中用到了磷酸溶液我们按照的实验结果分为了150度是浓度为60%。而且加热30分钟。
浓度为50%，温度为130度。
