LZ的示波器是液晶的还是CRT的？看着像CRT……
引用
评论
终于解决555推动里场管暴热的问题
其实很简单，增加初极圈数（原来五T，在改动其它所有元件无用的请况下，用2.8mm的线绕满高压包磁芯一边，也就几十T，而且后来电弧长度未变小，电流大了罢）。因为今天没时间，用了IGBT（G80N60）只是有点温，跟本不用水冷。下面上图。这是555波形
![555 3脚波形.jpg]()
这是用IGBT拉弧时的初级波形（栅极波形竟然一模一样，没拍）。有些自激振荡，这是过两天要改进的。大家不仿说说有什么好办法。说不定改进以后连散热片都不要了～～
![IGBT波形.jpg]()
引用
评论
全文完。研究还会继续。大家不仿多绕几T试试。觉的不错的话～～嘿嘿。
对于某些上来就否定的人、、实践是检验真理的唯一标准……
对于某些上来就否定的人、、实践是检验真理的唯一标准……
引用
评论
引用第9楼北落师门于2010-07-28 21:56发表的 :
是匝数多了以后电感增加了吧，电流减小，发热也会小
电流MS没减很多。电弧摆那呢，后天测测。而且这个电感增大量……
引用
评论
引用第12楼pankewen于2010-07-28 22:08发表的 :
电流MS没减很多。电弧摆那呢，后天测测。而且这个电感增大量……
电弧粗说明电流大，相应减小的是电压，而大电流不需要很高的电压也能拉出很长的电弧，我全是猜测的，一切还要看你实际测定
引用
评论
引用第11楼pankewen于2010-07-28 22:02发表的 :
全文完。研究还会继续。大家不仿多绕几T试试。觉的不错的话～～嘿嘿。
对于某些上来就否定的人、、实践是检验真理的唯一标准……
拜托，是说我吗，直接说就好了。没什么，，，，，
还有我否定了什么？请说出来，我不介意的。我记得我好像只是说，会提升上升沿的陡峭的吧。没有说用在什么东西上面就怎么不好了吧。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
引用
评论
似乎我没有说 ： 实践 不是 检验真理的唯一标准 吧！ 记得我也是用实践证明真理的。好不。。。。。
再次说明一下：我来这儿没有任何敌意，纯属交流。
再次说明一下：我来这儿没有任何敌意，纯属交流。
引用
评论
原文地址： https://www.kechuang.org/t/27735
原文的话：
为了证明，有一个视频。一个原理图。
设定了三个测试点，证明555与图腾之间的电阻上并联的电容可以达到上升沿陡峭，并且有尖峰。
第一个测试点：如图选在NE555三脚。
第二个测试点：如图选在三脚后面的电阻与图腾之间。关键的一点。
第三个测试点：图腾输出端。
原文的话：
为了证明，有一个视频。一个原理图。
设定了三个测试点，证明555与图腾之间的电阻上并联的电容可以达到上升沿陡峭，并且有尖峰。
第一个测试点：如图选在NE555三脚。
第二个测试点：如图选在三脚后面的电阻与图腾之间。关键的一点。
第三个测试点：图腾输出端。
引用
评论
华成？！我这里有个批号981008的华成高压包，BSC：26-0409c 一直 查不到脚位，也懒得试，帮忙问一下，我打算用555推它
引用
评论
引用第15楼立蛋于2010-07-28 23:25发表的 :
似乎我没有说 ： 实践 不是 检验真理的唯一标准 吧！ 记得我也是用实践证明真理的。好不。。。。。
再次说明一下：我来这儿没有任何敌意，纯属交流。
大哥，我发誓这话不是对你说的！！只是以前总是有人各种怀疑……所以我带了一句。现在驱动IGBT不够力，我正想着用你的办法来改进呢。
引用
评论
引用第18楼pankewen于2010-07-29 08:12发表的 :
大哥，我发誓这话不是对你说的！！只是以前总是有人各种怀疑……所以我带了一句。现在驱动IGBT不够力，我正想着用你的办法来改进呢。
没关系，共同进步。
引用
评论
引用第21楼gzh007于2010-07-29 08:56发表的 :
3极管用8050 8550
当然。现在用IGBT以经不要水冷了，明天试加音频
引用
评论
引用第24楼nhlijiaming于2010-07-29 23:49发表的 :
我说过mos的ds间并一个0.1uf左右的电容能减少mos发热怎么就没人信.....
我没听你说过。明天，不对，今天式式。吸收尖峰？
引用
评论
引用第26楼nhlijiaming于2010-07-30 09:02发表的 :
狂汗.......我就在你上次那个离子喇叭里面说的=.=
我忘了……SORRY
引用
评论
引用第29楼pankewen于2010-07-30 19:42发表的 :
我忘了……SORRY
呃...啊...哦....唉......去试试吧.....
引用
评论
直接买3842，跟555价差不多
引用第28楼布布卡于2010-07-30 12:11发表的 :
3842找个充电器（充电东车的）锯下高压部分 把Rt换个可变。。。。灰常好
引用
评论
lz说的提醒了我
这个问题是由于反射电压引起的，也就是次级的自感电动势感应到初级，流过MOS的寄生二极管
HK007提醒过我，如果逆变器的升压比太高，MOS会很热。
可以试着给MOS并联一个高速的肖特基二极管，代替寄生二极管。
希望LZ试试，我不确定是否正确
这个问题是由于反射电压引起的，也就是次级的自感电动势感应到初级，流过MOS的寄生二极管
HK007提醒过我，如果逆变器的升压比太高，MOS会很热。
可以试着给MOS并联一个高速的肖特基二极管，代替寄生二极管。
希望LZ试试，我不确定是否正确
引用
评论
找到音乐555的问题了，。。。。。。竟然是高压包被撑死了。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我狂汗 [s:108] [s:108] [s:108]
引用
评论
