高压包做得太强悍也不好......我做ZVS有点头疼，16V3cm处开始击穿，有点郁闷......我电容组耐压才21600V，有点恐怖，所以只好用12V驱动了，蛋疼啊..........
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RCD吸收这样接对么。
555推图腾再推场管irf640（200v 18a）已经烧了两个场管了。
36v拉弧3A火焰效果。1分钟场管散热片温热。
接一个高压包的时候拉弧或空载场管很烫都没事，但我再并一个高压包的时候一会儿就会电压击穿，不是烧掉的。
（一个场管同时推两个高压包，反激工作，高压包输出串联，电极9cm时开始有电晕，7-8cm击穿）
![df.jpg]()
36v拉弧3A火焰效果。1分钟场管散热片温热。
接一个高压包的时候拉弧或空载场管很烫都没事，但我再并一个高压包的时候一会儿就会电压击穿，不是烧掉的。
（一个场管同时推两个高压包，反激工作，高压包输出串联，电极9cm时开始有电晕，7-8cm击穿）
引用第5楼359847514于2010-07-27 20:45发表的 :
楼主两个高压包反向并联怎么不用ZVS推呀，555电路只适合推一个或N个同向并联高压包的
两个高压包同向并联。次级串联。
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错
完整的RCD吸收和阻止管子承受反向电压的电路，适用于MOS、IGBT、双极型晶体管、达林顿模块。
肖特基二极管的额定电流与MOS管匹配，反向耐压没有要求；
FR系列的大白菜管子就不要用了，反向恢复速度太慢……
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Re:错
引用第8楼hamdad于2010-07-28 11:20发表的 错 :
![RCD.gif]()
完整的RCD吸收和阻止管子承受反向电压的电路，适用于MOS、IGBT、双极型晶体管、达林顿模块。
肖特基二极管的额定电流与MOS管匹配，反向耐压没有要求；
.......
我的确错了。谢谢。
但我还是不理解d1跟d2是什么作用，您能再说一下么？（从左往又数）
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D1、D2、D3（从左往右数）
引用第9楼363523943于2010-07-29 00:57发表的 Re:错 :
但我还是不理解d1跟d2是什么作用，您能再说一下么？（从左往又数）
.......
功率场效应管由于制造工艺的原因，在D——S间有一个等效反向并联寄生二极管，这个二极管的开关速度（反向恢复时间）相当慢，在高速开关并且管子可能承受反向电压的时候，此二极管对于电路正常工作有不利影响。
D1、D2配合起来，把这个寄生二极管残废掉，IRF460承受反向电压的时候，D2导通，D1截止，管子内部的寄生二极管是不干活的。
D3就很容易理解了，让吸收电容快充慢放。
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