没啥用，纯粹是图个乐子，顺便评估下大电流DC-DC方案的性能。实物如下图，基本都是Ti的方案多。实际调试发现在通过辅助电源赋能后绝大多数DC-DC变换器都可以在低于标称电压下工作，但是实际的系统传递函数和手册给出的模型很大不同，所以支持外部补偿的方案补偿元件参数基本上都是通过示波器抓取实际建立过程调节的。如果是内部补偿的话，低压大电流有概率会引起啸叫振荡。
8个方案对应着不同的输出电流，从能跑满一般0402到0805的LED驱动电流25mA到支持3颗3W单灯珠并联的3000mA电流都应有尽有。只要电源够给力，就没有带不起来的。
在这里顺便给出工程源文件：
另外给出一个我最满意的版本调试示意图，这个是基于ADI专用的LED驱动芯片MAX25612构成的，原生支持恒流输出和开路OV保护，就不需要自己再去画蛇添足做手脚了。配合上Infineon的新一代MOSFET，效率我觉得还行，1.4V输入8A+电流进去最终输出效率有个90.5%左右，1.317V进去电流跑到9.2A+时候还能有88.2%以上的效率。（低压下电流很大管子和PCB损耗并不小，但是实际传输的功率却很低，因此这个效率已经很高了）
可见调试中使用了负载仪模拟LED，可以观察固定输出下电流的稳定性，可调负载仪设置为CV模式，恒压值设置为3.4-3.6V基本覆盖了一般的各色LED工作电压。然后大功率方案电源引线使用粗线，保证变换器可靠工作，否则可能会出现振荡或者无法驱动反复打嗝。
另外吐槽现在器件真TM贵，MLCC贵，ADI的MAX25612驱动器更贵，Infineon的高性能N-MOSFET新一代的更贵，要不是Si的管子媲美GaN的表现，就这个系统成本我不如直接上GaN算了，我活了这么久连一次GaN都没有正正经经的体验过，人生有缺憾啊！一个焦耳小偷的BOM成本200RMB谁顶得住？
PS：本人目前是个大螺丝的硬件工程师，搞气体红外检测的，下一份工作要是能去做电源领域就好玩了，明目张胆的爽玩GaN。反正现在GaN白菜价了，可能还比某些硅FET要便宜甚至不少。