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KC7601.31中子传感器技术说明(安装使用指南)

1、概述

KC7601.31是KC761x的选配传感器(KC761CN为标配),主要对低能中子敏感,对中高能中子也有响应。安装该传感器后,KC761x可以用于环境中中子通量密度的测量。由于该传感器较为特殊,为使示值具备参考价值,使用前应当了解其性能和特点。

2、适用领域

KC7601.31不能单独使用,必须安装到KC761x中。KC761(无后缀)不支持。

该传感器主要用于判断中子的有无和对比中子辐射场的相对大小。由于中子剂量测量复杂且困难,其剂量率读数仅供参考。

主要在可能产生中子的科学实验中,用于发现中子的产生和泄漏。

也可以用于中子辐射源的查找,安保,个人防护及科技爱好方面的用途。

3、技术参数

敏感截面积:1cm2(100mm2

内置慢化体:15mm厚度HDPE

理论探测效率(以计数计,包含内置慢化体,无外置慢化体):

>90%(热中子)

约90%(1eV)

约80%(10eV)

约60%(100eV)

约50%(1keV)

约30% (10keV)

约20% (100keV)

<10% (1MeV或更高)

剂量率依据理论计算确定,未作实测溯源。由于甄别算法的影响,仪器具有约0.1μSv/h的零误差。在额外加装5cm厚度HDPE慢化体,针对241AmBe中子源的能量分布,按规定方向照射,读数高于2.5μSv/h时,预期不确定度(仅供参考):±20%。

γ甄别能力:在γ传感器量程内,对1.3~1.9MeV范围内的γ射线,优于10:1(以γ传感器能带内计数率:中子计数率计)。对其它能量,优于1000:1。

4、原理

采用添加6Li2O和敏化元素(Ce)的玻璃作为闪烁体。中子首先和6Li发生核反应,释放α粒子和氚核,这些带电粒子再激发锂玻璃中的其它成份产生闪光。闪光的亮度基本上是恒定的。锂玻璃的厚度为3mm,该厚度下,几乎每一个热中子都会引起一次闪光,探测效率接近100%。随着中子能量的升高,6Li的中子截面迅速下降,探测效率也跟随者降低。对100eV的中子,探测效率降低至5%左右。

传感器自带一块厚度约15mm的聚乙烯慢化体,对低能中子有较好的慢化作用,例如100eV中子经过时,大约有一半被慢化到热中子能量,其余部分的能量也有显著降低。自带的慢化体厚度较小,对高能中子的慢化作用明显不足,只能稍微提高探测效率,但比不带慢化体好,有利于在遇到危险的中子辐射时发出告警。如果需要全面的测量高能中子,需要额外的慢化体。

硅光电倍增管(SiPM)用于将闪光转换为电脉冲,几乎能够100%发现中子闪光事件。传感器内置电子学前端,包括了峰值保持电路,可以由KC761x中的ADC直接测量。

闪烁体遇到γ射线和β射线时也会产生闪光。由于锂玻璃的特点,这些闪光与中子闪光非常类似,但亮度会随着γ或β射线的能量变化。对于1.6MeV的γ射线,它引起的闪光与中子引起的闪光几乎完全相同。因此,无法将1.6MeV附近的γ射线与中子区别开。对于远离这一能量的γ射线则可以根据闪光的强度区别。电脉冲被ADC采集后,由KC761x统计脉冲高度,从而将中子与γ或β射线引起的闪光区别开。这一过程叫做中子甄别,对于KC761x来说属于能量甄别。由于锂玻璃较薄,对1.6MeV附近的γ射线的探测效率很低,因此具有天然的甄别能力。

图:典型的中子响应谱

image.png

KC761x带有独立的γ传感器,可以根据γ传感器测量到的1.6MeV附近γ射线的多少,对应的扣除中子传感器的γ响应,从而进一步消除γ射线的干扰。需要指出,这种扣除大多数时候是非符合的(Non-coincidence),换句话讲,从中子传感器中扣除的γ成分,与γ传感器收到的γ光子,多数时候并不是同一个光子。这里只是假设均匀的γ射线会在两个传感器上引起类似的响应,从而根据其中之一的响应,概率性的扣除另一个的响应。实践证明,在统计意义上,这种扣除具有优秀的效果。

不论γ传感器还是中子传感器,对于γ射线的量程都比较小,这是闪烁探测器的共同特点。稍大的辐射就会超出量程,使得上述扣除所依据的γ辐射数据压缩,从而无法正确扣除。另一方面,闪烁探测器在遇到较强的低能辐射时,会产生超出电路处理能力的脉冲堆积效应,使得道址右移,增大进入中子甄别能阈的计数。

两项作用叠加,使得在较强x光辐射下,必然发生严重的中子误计数。通常而言,安检机的辐射强度就足以引起中子误告警,这是因为安检机虽然平均剂量率低,但行李扫过线束的那一刻具有较高的瞬时剂量率。

更强的x光(>0.1Gy/h)会阻塞传感器,既不产生明显干扰,也测不到中子。

图:中子传感器受到110kV,约50mGy/h强度的x射线照射时出现的异常谱图,其右侧裙边落入中子能量甄别阈(红色区域),产生错误的剂量率读数。

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在未超过γ传感器量程的情况下,随着1.6MeV附近γ射线的变强,扣除的误差会逐渐增加,使得中子计数误差迅速增大。假设中子传感器在1.6MeV附近的γ计数为300cps,而中子不足1cps,同时假设扣除误差5%,就意味着可能过扣除成-14cps或欠扣除至+16cps,误差远高于中子计数率本身。因此,应尽量减少γ射线干扰,远离1.3~1.9MeV的γ源,例如60Co、40K、232Th等。

如果没法回避γ射线,可以采用足够厚度的铜、铅等材料屏蔽,以衰减100倍为例,需要9cm厚度。在存在强x射线时,为了避免超过中子传感器的承受极限(约为10mGy/h),也可以增加屏蔽,屏蔽层厚度根据x射线能量而定,对于医用或安检x光机,只需要2~5mmPb。

5、安装

在安装之前,应检查设备固件版本高于V1.77,否则应先升级固件。

中子传感器如图所示(中部黑色方块),在提取时应保护好排线,不要用手指触摸排线末端的电接触面。

image.png

安装传感器的步骤

(1)拔掉所有连接线,取下TF卡。

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(2)拆除电池。为了便于操作,可以先拆除背夹。

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(3)拆卸机壳。共有6颗螺钉,使用φ2mm十字螺丝刀拆除。

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(4)用塑料片沿外壳上下盖结合缝逐步撬开外壳。要有耐心,不要用力过猛,忽然掰开可能拽断上下盖之间的连接线。

image.pngimage.png

(5)将上盖向左翻转,露出传感器舱。(图)

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(5.1)特殊情况:对于2025年4月15日之前出厂的KC761A/B,建议将模拟信号处理板上的电阻R14替换为47kΩ,0402封装。更换后低能γ事件将被排除。如未替换该电阻,仅会导致较多的闪光、粒子音提示,并不影响中子通量率和剂量率的测量。

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(6)翻开插座压板,使排线正对插座插到底,关上插座压板。

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(7)将中子传感器放置在右侧传感器舱。

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(8)装上电池,开机,长按MODE键,观察菜单上是否出现6Li选项。或者进入FUNC界面-设备信息,查看是否检测到KC7601.31传感器。装电池时注意用手指压住传感器(否则传感器会掉出),并留意排线,避免牵拉损坏。

image.png

如果找不到中子传感器,应检查排线是否正确安装。

(9)拆下电池,装合上下盖。防水橡胶圈应位于密封槽中,如果被挤出槽外,应适当松开前盖,用平头工具将其推回槽内。

image.png

(10)复装6颗螺丝。装上电池和电池盖。

(11)开机,长按MODE键,选择6Li传感器,进入能谱模式,在日常环境中观察计数率和剂量率读数。剂量率应基本为零,计数率根据本底辐射的特点,基本为零或偶有1~2cps。在FUNC-Reset界面清除积累剂量(密码7601),回到剂量模式(短按MODE,再选择DOSE),然后放在日常环境(中低纬度地区,背景中子辐射较低)中6小时,其积累剂量应小于0.5μSv。

6、其它说明

(1)中子传感器采用右侧窗口,并且具有方向性。6锂玻璃闪烁体是一个薄片状物,当它垂直于入射方向时,具有标称的捕获截面。传感器是按照垂直入射方向标定的。因此,使用时也应当让传感器对准射线来向,如下图所示。

image.png

(2)在海平面水面上,中子背景辐射随纬度的增加而增加,通常位于0.003~0.011μSv/h的范围内。在陆地上或室内,由于天然核素的微量中子辐射,实际数值较之略高。总的来说,海平面高度的中子背景辐射是极低的,远小于仪器的零误差,因此,不能用于中子背景辐射绝对值的测定,但是可以用于初步对比不同地方中子背景辐射的大小。

随着海拔高度的增加,宇宙射线带来的中子迅速增多,在中低纬度,10km高空时,平均可达2.5μSv/h左右,并可能存在超过1~8μSv/h范围的涨落。由于灵敏方向和能量响应不同,不同中子探测器给出的读数可能存在巨大差异。

在实际使用中,应尽量保持慢化条件和测试条件稳定,使同一仪器在不同时间的相对值具有意义。

(3)由于平滑算法的影响,从开始测量到读数具有意义,需经历1~10分钟时间,中子辐射越弱,需要的时间越长。对于0.5μSv/h强度,大约需要10分钟;对于2.5μSv/h强度,大约需要3分钟。请等待足够的时间再读数。对于天然背景辐射,可能数分钟才能产生一个有效的计数(<1CPM),仪器无法正确显示平均剂量率。此时应当长期观察积累剂量来确定辐射大小,周期1小时以上。

(2025年4月15日第一版)


手册下载

2025年4月15日第一版↓

attachment icon中子传感器技术说明书.pdf1.48MBPDF82次下载预览

状态

量产,提供支持(自2025年4月1日起)


[修改于 7 个月前 - 2025/04/20 08:57:07]

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