引用第12楼kuanglong7于2010-03-21 16:26发表的  :
非也，MOS管的等效电路如下图：

DG之间、GS之间都分别相当于并联了一个电容Cgd和Cgs，所以你想想，当你想使MOS导通，驱动电路输出高电位时，MOS管的G极电位不是瞬间提高的，而是由你的驱动电路先给Cgs充电（同时Cgd放电），使G极电位逐渐提升，MOS管经过一个短暂的放大区，才能进入饱和导通状态。同理，当驱动电路输出低电位时，MOS管的G极电位也不是瞬间下降为零的，而是Cgs经由你的驱动电路放电（同时Cgd充电），使G极电位逐渐下降，MOS管也要经过一个短暂的放大区，才能进入截止状态。显然如果驱动电路的电流输出和吸入能力越大，这个开关过程越短，开关损耗也就越小。
LZ在G极的Rg上并了个肖特基二极管，所以当驱动电路输出高电位时相当于直接通过这个肖特基二极管给Cgs充电，t=0时刻电容等效是短路状态，所以流过该二极管的电流是很大的。再加上这种电路开关频率多在数十K赫兹，每秒钟就有数十K次的冲击电流，如果元件选择不当很容易烧管。
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