引用第53楼ehco于2010-12-11 23:05发表的 :
错。IGBT虽然把内阻转为一个VCEsat，但是此VCE乘上电流后功率相当可观，而在MOS管mΩ级Ron下，管耗低得多。
同样的电路，同样的功率，MOS IRFP260N， IGBT G80J101 ，前者可不用散热，后者即便散热也很烫。
深有体会。。半桥换了一对IGBT后突然变得巨热。。
不知到是不是驱动功率不足。。
深有体会。。半桥换了一对IGBT后突然变得巨热。。
不知到是不是驱动功率不足。。
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文号 / 268868