名称: RU190N08
型晶体管 : MOSFET
控制通道的类型 : N-Channel
最大功耗晶体管 : 470W
最大漏源电压 : 80V
最大漏极电压门 : 0.7V
最高栅源电压 : 20V
最大漏电流的晶体管: 190A
最高结温 : 150C
晶体管的上升时间 : 17/72nS
漏源电容 : 6pF
最大漏源通态电阻 : 3.9
晶体管制造商 : RU
案例晶体管 : TO-247
价格也不贵
型晶体管 : MOSFET
控制通道的类型 : N-Channel
最大功耗晶体管 : 470W
最大漏源电压 : 80V
最大漏极电压门 : 0.7V
最高栅源电压 : 20V
最大漏电流的晶体管: 190A
最高结温 : 150C
晶体管的上升时间 : 17/72nS
漏源电容 : 6pF
最大漏源通态电阻 : 3.9
晶体管制造商 : RU
案例晶体管 : TO-247
价格也不贵