电容的容量和电感的感抗需要协调。并不是一味增大参数。原始设计的数据是协调的，凡是制作的时候发现效果不好的，都是因为其它元件，特别是那个电感可能数值不对。我记得RY版主还是哪位仿真过这个电路，输入上那个电感的感抗直接影响这个电路的ZVS状态。好多朋友玩了这么久，还不知道他为什么叫ZVS，以及为什么这个电路做的好了MOS管基本不发热。

电容有这么一条说明，MUST BE GOOD.这个GOOD其实含义是电容的各项性能指标都要好，其中最重要的并不是耐压高和容量大，原始设计说的很清楚了，在设计输入电压下250V以上的耐压即可。因为此电容工作在很高的频率下的，所以ESR等效内阻和ESL等效电感要越小越好。否则的话在高频下电容要快速的反复充电放电，由于等效内阻的存在，会产生巨大的热量，而由于等效电感的存在，会抑制电容两端的电流上升，使得电容在振荡过程中不能完善的工作，同时也会影响准谐振的状态。另外，电容的热稳定性也是很重要的，工作中电容不可避免的要发热，温度变化若引起电容的容量变化，则准谐振状态也会被破坏，导致电路效率下降等问题，严重的甚至直接导致电容或其它元件烧毁。