原理图：

参数有改动：
470ohm 2w -> 220ohm 1w，12v不发热，24v时温度超过60度，但没有烟雾，油漆未变色。
电感使用27×14×11黄白环，绕制50T，电感计算值200uH。
电容使用电磁炉谐振电容0.3uF两只并联

高压包：


电路：


24V输入，离子火使铁丝燃烧：
  

12V输入，离子火


波形：

RefA(上) 是MOS的栅极，RefB（下）是MOS的源极
注意G极波形下降沿中间位置的“平台”，在负载快速变化时候，这个“平台”能持续2us，如何消除它？能否加入一个施密特触发器？

实验台：


12V供电时：
空载0.26A，峰值3.6A，出现离子火时在1.6A～2.6A之间，火焰越长电流越大。
加绕一个次级绕组，带载时负载电压4.43V，电流0.66A，功率2.93W。输入端11.97V，0.46A。计算出效率53%

24V供电时：
空载0.52A，峰值9A，出现离子火时在4A-7A之间，火焰越长电流越大。

工作频率：
初级5+5T，空载25k，离子火48k。
初级4+4T，空载28k，离子火58k。

电感匝数改为11T，电感量计算值11uH，12V时无法自启动，MOS未烧坏。24V时工作正常。
在12/24V下，电流较50T时有所增加，空载电流增加约50%。总功率没有明显增加，离子火效果与原来相同。频率没有改变。

现在有点蛋疼了，为什么功率上不去呢？是不是高压包的硅堆电阻太大？
PS:短路高压包输出，电流与出现离子火时相同，12V供电时，也是在2.6A以下。