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发表于《场管好坏测量求助》
北落师门
14年6个月前IP:未同步
410174
6楼
GS之间有电容的，这个也是MOS自身形成的，所以说开关频率越高推动的功率需要越大，是因为频率高的话对能那个电容充电的时间就更短，需要在更短的时间里充满那个电容，驱动的功率就要更大。一般在用的MOS里IRF640的电容是比较小的，250这些管子非常大，而射频MOS由于需要在非常高的频率下开关，其GS电容非常小，只有几个p
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文号 / 410174
北落师门
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我也是有底线的