IGBT有三个电极，分别是CEG，CE接在电容和线圈之间，还有个控制极G，当G对E极之间电压为0V时，CE极间阻值无穷大，IGBT不导通，当在E极和G极间加一个大约10V-20V的电压时，CE导通，电容的电通过CE加到线圈上，实现发射，当EG之间电压重新回到0V，CE截断，电容的电停止给线圈提供，这个特性是可控硅不具备的。
如果制造一个电路，比如在发射枪管线圈的中间部位加一套光电感应电路，当电容充足电后，给IGBT的G极施加一个12V电压，IGBT导通，线圈加电，弹丸发射，弹丸运行到线圈中部阻挡光线，接收端检测到信号后，迅速把G极拉到0V或负电压。IGBT强制切断，无论电容内还有多少电压，线圈就失去磁性，不会反拉弹丸。
关键就是控制电路的设计，也可以采用延时方式，通过计算弹丸从发射到线圈中部所需要的时间，控制IGBT的导通时间来控制也可以，但需要多次实验以取得比较准确的时间长度。
