回 49楼(badboy-fly) 的帖子
这个我查过了3205，之前就提过；摘自淘宝---
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 62A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：110A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：146nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3247pF @ 25V
功率 - 最大：200W
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 62A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：110A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：146nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3247pF @ 25V
功率 - 最大：200W
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 62A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：110A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：146nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3247pF @ 25V
功率 - 最大：200W
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 62A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：110A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：146nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3247pF @ 25V
功率 - 最大：200W