虎哥 发表于 2014-1-20 06:30
IRFP4668的上升时间小于100nS，对于几十KHz的应用来说算是低的了，楼主测到的上升下降时间不是管子的参数。 ...

的确，我所测量的并非管子的参数。因为在这个电路中，MOS驱动电路的上升时间远大于MOS本身的上升时间。所以我测量的是驱动电路的上升时间，因为470电阻的存在，驱动电路上升一定存在一个较长时间。在驱动电路上升过程中，会造成管子硬开关而导致发热。但驱动电路是一样的，频率也近似相同，不知道为什么实测的不同管子的上升时间却不同。所以我把原因归结为管子本身上升时间不同导致。

因为我的测试条件不够，不知道在ZVS电路中究竟什么引起MOS发热。我在实验中发现了两个可能因素，一个是通态电阻，一个是MOS驱动电路上升沿导致硬开关。不知道是什么影响了驱动电路上升沿时间，可能与管子参数有关。另外有一些MOS主要因素是通态电阻，比如460；有一些则是我所猜测的，比如4668。解决了这个问题，就可以找到最适合ZVS工作的MOS管。望得到科创仪表局的帮助。