金坷居士 发表于 2014-1-20 21:41
楼上NE555说的对 mos在大功率工作时 驱动电路还需要驱动GD之间的电容
ZVS里面的驱动电路只是电阻和对面mos ...
还是继续翻PDF。。。
IRFP250 Ciss 2600pF Qg120nC Qgd64nC
IRFP260 Ciss 4057pF Qg234nC Qgd110nC
IRFP460 Ciss 4200pF Qg210nC Qgd110nCC
IRFP4668 Ciss 10720pF Qg241nC Qgd52nC（典型值）
Ciss均为典型值，其余未注明为最大值（PDF上只有这些了= =）
可以看出250上升沿快是因为Ciss很小，几乎差一半
4668的Ciss则大了一半以上，ZVS驱动内阻大，效率就低了
至于Qgd这个手册上写明”Miller“，4668则最小（虽然是典型值吧，也有可比性啊），效果不好，只能解释为Ciss影响，单独驱动可能会好些呢
250的Qgd仍然很小，可惜电流小，要不然估计效率比260还要高，，，
260的参数还是不错的，用来做ZVS很理想
3205没有查，待会看看
