本帖最后由 左哥 于 2014-1-28 04:24 编辑

（接上回）
MOSFET或IGBT的导通VGS应限制在12~16V，楼主的第二张图严重不合理。
俺个人建议，也是俺个人习惯，单向限幅：12V，稳压管：1N4742；双向限幅：正向12.7V，反向5.8V，稳压管：正向1N4733（5.1V 1W），反向1N4742（12V 1W）。
至于我为什么推荐反向限制在－5+V而不是－12+V，原因是两者对开关管的保护作用几乎相同，而GS结电容会有一个反向充放电的过程，电压过高会影响G极的dV/dt，造成G极本身和其驱动电路的电压电流应力过大，而较大的dV/dt或dI/dt也正是电磁干扰的主要来源（G极峰值电流有可能达到500mA以上或1A以上）。
（完）