本帖最后由 novakon 于 2014-3-3 14:32 编辑

当你的占空比过小或者过大的时候，可能导致意想不到的结果。参考IR2110的手册。

脉冲宽度过小的时候，这个脉冲宽度所利用的能量，可能跟为了输出这个脉冲而导致的开关损耗差不多。
mos驱动器的高端驱动电压，是用一个bootstrap电容提供的，high side mos 截止时，电容从电源充电；high side mos导通时，这个电容被抬高至mos S端电压，提供了一个 比high side mos的S端电压还要高出 Vcc 的电压以使high side mos导通。

然而bootstrap电容上的电压会慢慢下降，因为驱动ic有漏电流。所以必须反复充电。

所以如果长时间保持驱动信号为高，bootstrap电容无法再充电，高端mos 的G极的电压会慢慢下降，导致烧管。

建议：增大bootstrap电容，并设计一个计时逻辑电路防止高端驱动信号一直为高（错误的占空比设置，stm32调试中断，等等情况）。