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发表于《设计入门：DRSSTC设计里IGBT应用的利与弊》
rudolf
10年7个月前IP:浙江
818595
5楼
引用 rb-sama:
谢捧场，时间有限讲得还不够全面。。。
初次级耦合度的影响，英国richle写的文章写得比较清楚，你转载一下到论坛咯。
论坛上很少有人从这方面来研究IGBT和MOS在用于DRSSTC时的损坏机理，我之前认为是IGBT管芯在几个谐振周期的极短时间内由于开关损耗导致发热超过其能够将热量传递到外壳的速度而损坏。

耦合度的文章地址能否发一个，我找时间翻一下。
评论
文号 / 818595
rudolf
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我也是有底线的