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发表于《设计入门：DRSSTC设计里IGBT应用的利与弊》
Miller
10年7个月前IP:山东
818854
17楼
引用 rb-sama:
是的，每一次材料革命都会推动其他技术的进步。
GaN材料的MOS出来损耗小，速度快还有什么特殊的特性吗？
开关干净利落，上升快（快到都快成缺点了。。。）寿命长，据说那个东西结温能到200℃不坏....现在的封装600V60A的mos比指甲盖大不到哪去，总之全面碾压现在的晶体管，更多特性你可以查一查，就跟加了特技一样
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我也是有底线的