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发表于《设计入门：DRSSTC设计里IGBT应用的利与弊》
OODLL
10年7个月前IP:贵州
818920
20楼
引用 Miller:
开关干净利落，上升快（快到都快成缺点了。。。）寿命长，据说那个东西结温能到200℃不坏....现在的封装600V60A的mos比指甲盖大不到哪去，总之全面碾压现在的晶体管，更多特性你可以查一查，就跟加了特技一样
氮化硅MOS的驱动难啊
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文号 / 818920
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我也是有底线的