R3换个1W的就不热了
至于选值……找数据手册研究下吧
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关于驱动MOS管的电路电阻选择
请教大家一个问题
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在原理图中我需要实现把0-3V的脉冲去驱动MOS管，由放大电路和图腾电路组成，仿真的挺好的，做出来板子发现，R3非常的烫，我换成2K的就好了，但MOS管的开启速度比200欧的时候慢了一倍，我想问一下R6，R3的选取如何才能让图腾柱完全的打开，提高MOS管的开启速度。
在原理图中我需要实现把0-3V的脉冲去驱动MOS管，由放大电路和图腾电路组成，仿真的挺好的，做出来板子发现，R3非常的烫，我换成2K的就好了，但MOS管的开启速度比200欧的时候慢了一倍，我想问一下R6，R3的选取如何才能让图腾柱完全的打开，提高MOS管的开启速度。
Q1和Q2是不是画反了？R3上并个小电容作为加速电容应该有点效果吧。
。。。
哦，这种驱动方式并电容看起来不行，如果R3是串在Q1和Q2的基极回路里并电容才有效。
。。。
哦，这种驱动方式并电容看起来不行，如果R3是串在Q1和Q2的基极回路里并电容才有效。
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回 4楼(yangzhaofei1) 的帖子
好吧 上面说错了 发热还是会的 但是无所谓 这电阻散耗功率最大也就12*12/200=0.72W 所以1W的就够了
不想它发热那么严重的话 可以加散热片
或者修改电路设计
不想它发热那么严重的话 可以加散热片
或者修改电路设计
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引用第3楼ghia于2013-01-18 13:09发表的 :
Q1和Q2是不是画反了？R3上并个小电容作为加速电容应该有点效果吧。
。。。
哦，这种驱动方式并电容看起来不行，如果R3是串在Q1和Q2的基极回路里并电容才有效。
我勒个去，请先自己搞清楚再说话，免得误导大家。
Q1和Q2没反。人家是增加驱动电流能力用的，不是放大用的。如果反过来，不仅驱动能力变差，而且还会有很大的同时导通区间，容易烧管子。
R3并电容来加速？不减速您就乐吧。
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回 8楼(王鲲鹏) 的帖子
那个帖子看的有点晕，好多图，不过是N、PMOS管做图腾电路的，我看了一下那个帖子，主要我不知道用他们的电路能够让IRF840的开启速度有多快，我需要下降沿在10--20ns，所以首先想到的在原来的基础上解决问题，要是有更好的电路那当然好，手头上也没有他们的器件，所以也不知道效果如何，下图的电路用洞洞板搭出来下降沿在20ns，可是做成电路板，把器件变成贴片的后就成了50ns，而且还有很大的振荡，我画了好几个，我猜估计是过孔打的多了，好多没有在一个平面导致的，其中做了一个板子，他的贴片的器件都在一个平面振荡就消除了，不过下降时间还是大，现在就是发现那个200欧的电阻很烫，换一个大的电阻IRF840的开启速度就慢了些
我的整体电路图
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我的整体电路图
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