这几天我在网上查了查，找到一些关于igbt并管的资料，找到了一些方案，但有很多不能满足“便携”这个要求，综合了一下找到了两种方案：
1.rcd吸收
2.差模电感抑制
（也就是三水合番说的那两种）
这是电路图 （容忍我的渣画技）
然后打算在五一放假时买一些igbt做实验，对比一下硬并联，rcd吸收和共模电感抑制在1ms内电流超过单颗igbt耐流极限时的效果和耐用程度，实验完毕后我会把统计结果发上来
如果实验内容中有误或我个人理解有误还请各位指出，不胜感激
如果前人有做过类似的实验也请分享一下，感谢