8年7个月前修改于 8年7个月前IP:河南
845483
1楼
GS间击穿考虑保护栅极,TVS管要尽可能靠近MOSFET放置,检查GDT绝缘强度(有条件可以拿摇表摇下),三层绝缘线绕制GDT是个不错的选择。
考虑EMC问题,功率侧MOSFET散热片和MOS间垫好绝缘片,散热片接大地,C12正极和负极对大地各接一0.1uF/2kV的电容。
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文号 / 845483

千古风流
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我也是有底线的