7年2个月前IP:江苏
864369
25楼

1、IGBT不适合频率很高的场合。如果打算把开关频率做到50KHz以上,建议用MOS,不要用IGBT。

2、建议建立电路模型,通过仿真和计算来设计电路。

3、单个变压器的输出电压因为导线自身绝缘的问题,特别是高频下绝缘能力下降的问题。一般单个变压器高压输出电压不应该设计的很高。电压高了很容易击穿。即便是分槽了,高频高压还是很难绝缘。

4、对于桥式电路,驱动电路要考虑好。频率比较高的时候可以用驱动变压器,天然的自带反相驱动效果。如果驱动频率不高,或者变化范围比较大,那么就用专用的驱动模块。

评论
文号 / 864369

实习会员
名片发私信
学术分 0
总主题 1 帖总回复 15 楼拥有证书:机友
注册于 2019/08/22 23:53:17最后登录 2020/10/14 02:22:26
主体类型:个人
所属领域:无
认证方式:手机号
IP归属地:江苏

个人简介

暂未填写
笔记
{{note.content}}
{{n.user.username}}
{{fromNow(n.toc)}} {{n.status === noteStatus.disabled ? "已屏蔽" : ""}} {{n.status === noteStatus.unknown ? "正在审核" : ""}} {{n.status === noteStatus.deleted ? '已删除' : ''}}
  • 编辑
  • 删除
  • {{n.status === 'disabled' ? "解除屏蔽" : "屏蔽" }}
我也是有底线的