哈哈，大力出奇迹。

提个建议，初级太细了，而且PCB线圈的厚度只有0.035mm，而且是极扁平的形状，高频下回向两侧集肤，电阻会很大。换一个励磁线做初级，别的都不改，电弧可能可以更长一点。布线的优化空间也很大啊。

另外Class E PA好死不死的有个大概30°多一点的移相角，这其中，mos的Vgs驱动信号的基波到Vds基波大概有个几度(Vgs和Vds基本反相，可以认为是在几度上再加180°)，然后软开关条件解出来负载的需要有个30°左右的阻抗角。而且这个结构如果不加移相的话，环路是基本锁不到阻抗比较小的地方的。

而且恕我直言，这种简单的结构是做不出比较好的Class E的软开关状态的哈哈，包括我之前发的Class E TC，因为Class E的软开关要求太苛刻了，蒙是几乎不可能蒙出来的，需要认真调。但很多时候，即使完全没做到Class E的软开关状态，电弧可能还挺长的。

分享我之前做的一个Class E小TC，用了一个RC移相，调出这样理想的软开关状态真的很耗精力。因为电弧的负载大小是未知的，只能一点点的去蒙，然后匹配移相的极点频率，而且很多时候负载电阻会过大或者过小，还需要去微调初级的谐振电容来匹配阻抗，来实现zvs和zvds。