那个加图腾的效果比这个更好.我现在改用低电压的3205管子...理论IRF3205比250的电流大..但感觉250做出来的效果却要好些...450 460还没必要..前提是做好反向电压保护.
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对于555推场管的离子火焰电路的试验
在tesla的催促下，也有做别的电路的需要，今天对555推场管的电路做了些试验
这是原电路，图中2，6脚对地有个1nF的电容，tesla说改变这个的大小能改变频率，正好在另一个电路里要用到555做信号源，要求75KHz，我懒得重做个，所以想试试能不能改装现有的
![54_4513_39f1858fe1a72b4.jpg]()
试验条件是这样
电源：12V电瓶
变量：2，6脚的瓷片电容
测量：手电论坛的电容电感表套件，附加频率测试功能，不是很准，但是能说明问题
首先测量了104的电容(这里我弄错了....谢谢lengrang911)，测得频率大约在720Hz，很悲剧~离我的目标75KHz很远啊
然后换用了1000pF的电容，频率跃增到36KHz，突飞猛进啊~而且，值得一提的是，在这个频率下，用这个电路去推高压包电弧明显好很多，已经有离子火焰的效果了，并且场管发热并不大，原本默认频率下，我用CPU散热器都是有点困难的，而现在在这个频率下IRFP250的发热并不大，甚至在短时间工作时不需要散热片！
有视频
可恶的优酷居然把视频压得这么差！
接下来是换成了470pF，测量频率达到了71KHz了，基本达到我做电路的要求，此时再去接入高压包，应该说电弧的效果和36KHz下的差不多，但是变细了点
再下来是换成150pF，频率171KHz，此时再接上高压包时，电弧消失，场管发热又变得严重了，估计是频率已经超出了彩电高压包工作频率，此时产生的电弧只有几个毫米长，而且需要短路才能引燃
最后是30pF，频率330kHz，在这个频率下，高压包已经没有意义，完全是在测555的能力了
然而，完成以后，我手贱，想调整下高压包的最佳频率，就换回1000pF电容，调整电位器，发现最佳工作频率还不止36kHz，正要换电容时杯具发生，电弧扫到相邻引脚，形成短路，导致环氧树脂烧焦了.....现在那个高压包通电就会在碳化的地方拉弧.......[s:240]等下用硅橡胶试着修复
视频
[flash=600,400]XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX target="_blank" style="font-size:20px;">点击此处查看视频
THE END
这是原电路，图中2，6脚对地有个1nF的电容，tesla说改变这个的大小能改变频率，正好在另一个电路里要用到555做信号源，要求75KHz，我懒得重做个，所以想试试能不能改装现有的
试验条件是这样
电源：12V电瓶
变量：2，6脚的瓷片电容
测量：手电论坛的电容电感表套件，附加频率测试功能，不是很准，但是能说明问题
首先测量了104的电容(这里我弄错了....谢谢lengrang911)，测得频率大约在720Hz，很悲剧~离我的目标75KHz很远啊
然后换用了1000pF的电容，频率跃增到36KHz，突飞猛进啊~而且，值得一提的是，在这个频率下，用这个电路去推高压包电弧明显好很多，已经有离子火焰的效果了，并且场管发热并不大，原本默认频率下，我用CPU散热器都是有点困难的，而现在在这个频率下IRFP250的发热并不大，甚至在短时间工作时不需要散热片！
有视频
可恶的优酷居然把视频压得这么差！
接下来是换成了470pF，测量频率达到了71KHz了，基本达到我做电路的要求，此时再去接入高压包，应该说电弧的效果和36KHz下的差不多，但是变细了点
再下来是换成150pF，频率171KHz，此时再接上高压包时，电弧消失，场管发热又变得严重了，估计是频率已经超出了彩电高压包工作频率，此时产生的电弧只有几个毫米长，而且需要短路才能引燃
最后是30pF，频率330kHz，在这个频率下，高压包已经没有意义，完全是在测555的能力了
然而，完成以后，我手贱，想调整下高压包的最佳频率，就换回1000pF电容，调整电位器，发现最佳工作频率还不止36kHz，正要换电容时杯具发生，电弧扫到相邻引脚，形成短路，导致环氧树脂烧焦了.....现在那个高压包通电就会在碳化的地方拉弧.......[s:240]等下用硅橡胶试着修复
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1nf的时候720，1000pf的时候变成36K。。。ms1nf=1000pf。。。这个没明白。是不是把1uf当1nf用了？？？？？
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引用第1楼west_0830于2010-01-14 22:50发表的 :
那个加图腾的效果比这个更好.我现在改用低电压的3205管子...理论IRF3205比250的电流大..但感觉250做出来的效果却要好些...450 460还没必要..前提是做好反向电压保护.
图腾的我一直没做，也是因为懒......
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这就能说明问题了！我当初做这个电路的时候发帖问为什么我的电弧是脉冲式的，就是因为电容错了，频率太低的缘故！现在看来设计者的确考虑到了彩电高压包工作的频率，实际真的要是1000pF电容的话效果还是不错的！可能当时我做板的时候脑抽了.....
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[[接下来是换成了470pF，测量频率达到了71KHz了，基本达到我做电路的要求，此时再去接入高压包，应该说电弧的效果和36KHz下的差不多，但是变细了点]]]
个人感觉如果在频率减少初级线圈就会和1000P一样.
另外不知道谁能完全解释频率高会发热的原因
个人感觉如果在频率减少初级线圈就会和1000P一样.
另外不知道谁能完全解释频率高会发热的原因
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引用第6楼华蓥于2010-01-15 00:14发表的 :
个人感觉如果在频率减少初级线圈就会和1000P一样.
另外不知道谁能完全解释频率高会发热的原因
CPU超频后为什么热量会爆增？电压还只有0.9V-1.4V
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引用第7楼seeker于2010-01-15 00:55发表的 :
CPU超频后为什么热量会爆增？电压还只有0.9V-1.4V
发热主要在MOS管的导通和关断的过程中，就是MOS管处于放大的状态下发热比较厉害，高频的时候MOS管大多数时候都处于发热厉害的半开关状态。所以就与MOS管速度和波形有关了。
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据tesla说IRFP250的频率能达到4MHz，这么说的在试验频率下应该是没问题的
而且大家注意在低频的情况下场管发热也很严重，非常严重！用CPU散热器都很难支持，应该是频率不匹配导致效率不高，最终能量都聚集在场管上的缘故
而且大家注意在低频的情况下场管发热也很严重，非常严重！用CPU散热器都很难支持，应该是频率不匹配导致效率不高，最终能量都聚集在场管上的缘故
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MOS发热严重需要观察波形。如果不是非常严格的矩形波，在导通和截止的时候是有损耗的，
还要注意就是占空比不要高于 50%，控制在40%最好。
另外反激式的，绕线相位是有规定的，不要忘记了高压包里面有个2级管。
还要注意就是占空比不要高于 50%，控制在40%最好。
另外反激式的，绕线相位是有规定的，不要忘记了高压包里面有个2级管。
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引用第10楼北落师门于2010-01-15 09:56发表的 :
据tesla说IRFP250的频率能达到4MHz，这么说的在试验频率下应该是没问题的
而且大家注意在低频的情况下场管发热也很严重，非常严重！用CPU散热器都很难支持，应该是频率不匹配导致效率不高，最终能量都聚集在场管上的缘故
不要这么肯定啊......
我是看了XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX 才说的，只是能超到很高而已......具体250能超到多少我也不知道，因为XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX用的管子不是250
我只是说很高而已啦~~
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Mos的优势就是频率高，但是不要忘记了MOS 结电容，在高频下，这个电容就起很大作用了
推动电路需要改，建议用TC4420，这些MOS 高速驱动IC，常规的驱动基本失败
HELLOCQ上面有用IRF640做几十M ，50几W 的业余电台的。
推动电路需要改，建议用TC4420，这些MOS 高速驱动IC，常规的驱动基本失败
HELLOCQ上面有用IRF640做几十M ，50几W 的业余电台的。
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做RF功放时栅电容与外接匹配电感工作在正弦波谐振状态，可以达到比方波驱动器高得多的频率，代价是正弦波上升下降不陡，管子有相当一部分时间工作在线性区
引用第17楼joyeep于2010-01-15 14:10发表的 :
Mos的优势就是频率高，但是不要忘记了MOS 结电容，在高频下，这个电容就起很大作用了
推动电路需要改，建议用TC4420，这些MOS 高速驱动IC，常规的驱动基本失败
HELLOCQ上面有用IRF640做几十M ，50几W 的业余电台的。
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高压包的匝间电容很大，不适合用过高的频率驱动
引用第5楼北落师门于2010-01-14 23:06发表的 :
这就能说明问题了！我当初做这个电路的时候发帖问为什么我的电弧是脉冲式的，就是因为电容错了，频率太低的缘故！现在看来设计者的确考虑到了彩电高压包工作的频率，实际真的要是1000pF电容的话效果还是不错的！可能当时我做板的时候脑抽了.....
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引用第19楼拔刀斋于2010-01-16 22:09发表的 :
做RF功放时栅电容与外接匹配电感工作在正弦波谐振状态，可以达到比方波驱动器高得多的频率，代价是正弦波上升下降不陡，管子有相当一部分时间工作在线性区
有一种做法是谐振过零的时候开关，不过这就复杂了
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我手更贱,今天试验一下这个电路,结果烧了两个NE555，第一个和老婆聊天，结果装反了，一通电十几安的电流，NE555都冒烟了。第二个就是懒得自己绕线用高压包里面的绕组，结果拉弧的时候不知道打到哪了，NE555烧了，幸好我的3205没有烧，这玩意可是555的5倍的价格啊。后来自己绕线就可以了，感觉5圈，10圈，15圈区别不太大。不过后来电压过高，应该超过20KV，把高压包里面的高压硅堆又烧了，现在输出成交流电了，高压电容成电阻了，郁闷。。。。
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引用第23楼笨笨先生于2010-03-20 04:24发表的 :
我手更贱,今天试验一下这个电路,结果烧了两个NE555，第一个和老婆聊天，结果装反了，一通电十几安的电流，NE555都冒烟了。第二个就是懒得自己绕线用高压包里面的绕组，结果拉弧的时候不知道打到哪了，NE555烧了，幸好我的3205没有烧，这玩意可是555的5倍的价格啊。后来自己绕线就可以了，感觉5圈，10圈，15圈区别不太大。不过后来电压过高，应该超过20KV，把高压包里面的高压硅堆又烧了，现在输出成交流电了，高压电容成电阻了，郁闷。。。。
硅堆烧了？好啊！！！
我玩倍压整流还想故意把硅堆击穿了呢
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引用第24楼小特斯拉圈圈于2010-03-20 12:54发表的 :
硅堆烧了？好啊！！！
我玩倍压整流还想故意把硅堆击穿了呢
幸好我有五个，反正这个也便宜，3-4元一个，买100个烧都不怕，不过我的这个好像是黑白的老的一体化的高压包，功率不太大，你有没有比较过是一体化的好，还是老式的有一个白色独立高压线圈的效果好呢？
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LZ看一下我的帖子，，，https://www.kechuang.org/t/45851我介绍的软件里面有个555计算器，很好用···
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