你是不是焊错了 [s:257]检查图
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我做的ZVS.一只场管高烧
我做的ZVS.一只场管高烧。还有。电阻也烧。2个输出点的电压也不一样。场管上的2级管。要加上去，。还是场管自己有的吗。谢谢各位指导
这种情况我遇到过并且困扰我很久…如今解释一下：1确保电路焊接正确，无虚焊 2注意电感绕得是否工整 3使用800v以上耐压电容或者无感电容 4使用fr307 5如果都不行…把发烫的管子换掉
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这是偏磁引起的
偏磁的形成主要就是因为参数分布的不均匀
导致磁芯的磁滞回曲线在两组象限不平衡造成的
解决方法主要是平衡推挽变压器绕组 合理选择相同参数的MOSFE管 孪生MOS是首选
虽然做好了这些 但由于高压包是单端整流 磁场的变化还是存在不均衡
但是这样对电路的影响会小一点
偏磁的形成主要就是因为参数分布的不均匀
导致磁芯的磁滞回曲线在两组象限不平衡造成的
解决方法主要是平衡推挽变压器绕组 合理选择相同参数的MOSFE管 孪生MOS是首选
虽然做好了这些 但由于高压包是单端整流 磁场的变化还是存在不均衡
但是这样对电路的影响会小一点
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引用第5楼rb-sama于2011-04-04 09:20发表的 :
这是偏磁引起的
偏磁的形成主要就是因为参数分布的不均匀
导致磁芯的磁滞回曲线在两组象限不平衡造成的
解决方法主要是平衡推挽变压器绕组 合理选择相同参数的MOSFE管 孪生MOS是首选
.......
ZVS是自激 就是靠原件离散性振起来的 由于是推挽结构 所以绕组要对称 mos什么的随便找2颗就好了
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引用第5楼rb-sama于2011-04-04 09:20发表的 :
这是偏磁引起的
偏磁的形成主要就是因为参数分布的不均匀
导致磁芯的磁滞回曲线在两组象限不平衡造成的
解决方法主要是平衡推挽变压器绕组 合理选择相同参数的MOSFE管 孪生MOS是首选
.......
ZVS是自激 就是靠原件离散性振起来的 由于是推挽结构 所以绕组要对称 mos什么的随便找2颗就好了
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“就是靠原件离散性振起来的”
看来你对这句话有另外的理解
任何元件 就算是孪生MOS或者是其它器件 由于随机误差的存在
不可能做到全部相同 这是很正常的 ZVS的这个电路 包括很多自激振荡的拓扑结构
都是这样起振
但是作为推挽拓扑结构 电源管的对称是一定要做到的
我上面已经说过了偏磁带来的不稳定性
如果是你刻意的去找两个不同型号的MOS 追求所谓的离散参数
那你就是画蛇添足罢了
就算是同一个封装里的原件 都存在不同 用它构成振荡电路 是不存在不起振的
而电源管的参数 对绕组的电流均衡性影响是非常大的
例如 跨导 导通电阻 栅容 都是对推挽式结构电源起到核心因素的影响
在电源设计中 推挽式结构由于不存在诸如半桥结构中的自动平衡
必须要做到绕组 MOSFET 甚至是双路引出导线长度的相等
所以你所说的 “ mos什么的随便找2颗就好了” 是很错误的看法
希望你能多了解一些电源方面的知识 由衷的希望你早日进步[s:223]
看来你对这句话有另外的理解
任何元件 就算是孪生MOS或者是其它器件 由于随机误差的存在
不可能做到全部相同 这是很正常的 ZVS的这个电路 包括很多自激振荡的拓扑结构
都是这样起振
但是作为推挽拓扑结构 电源管的对称是一定要做到的
我上面已经说过了偏磁带来的不稳定性
如果是你刻意的去找两个不同型号的MOS 追求所谓的离散参数
那你就是画蛇添足罢了
就算是同一个封装里的原件 都存在不同 用它构成振荡电路 是不存在不起振的
而电源管的参数 对绕组的电流均衡性影响是非常大的
例如 跨导 导通电阻 栅容 都是对推挽式结构电源起到核心因素的影响
在电源设计中 推挽式结构由于不存在诸如半桥结构中的自动平衡
必须要做到绕组 MOSFET 甚至是双路引出导线长度的相等
所以你所说的 “ mos什么的随便找2颗就好了” 是很错误的看法
希望你能多了解一些电源方面的知识 由衷的希望你早日进步[s:223]
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