初级线圈没有加反压吸收吧
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请大神看看这个电路图为什么会烧掉mos管
初级线圈并联个mkph看看调谐振？
这电路管子发热很大。。。
过去就直接调谐振（电弧最粗）发热就小了。。。
但是不知道达到软开关没
这电路管子发热很大。。。
过去就直接调谐振（电弧最粗）发热就小了。。。
但是不知道达到软开关没
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引用 醉狗:你说的是mos管那里吗？ irfp250在仿真软件里面有反压二极管 不知道是不是在管子里面集成了。要是加的话 需要什么型号的管子啊？谢谢
初级线圈没有加反压吸收吧
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引用 沉默羔羊:这个仿真图腾输出不够12V， 实际电路我用的8050和8550做的图腾，仿真没有问题 但是实际电路电压上30就会烧管子，已经烧了两个了 心疼 啊
MOS达到饱和应该是18V吧，12V小了点
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引用 drzzm32:高压包的初级并电容吗？ 可是那样会不会直接从电容过了？ 这个电路发热确实大 五分钟差不多就有七八十度了，但是电压在20V一下的时候 还能拉出四五厘米的弧 上了30V就工作一会儿就烧mos管了，烧过后的irfp250两两管脚之间都是导通的，应该是被击穿了吧
初级线圈并联个mkph看看调谐振？
这电路管子发热很大。。。
过去就直接调谐振（电弧最粗）发热就小了。。。
但是不知道达到软开关没
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引用 金坷仙:是在Multisim上面仿真的波形吗？ 仿真的时候是好的 就是实际电路电压上30就会烧管子，我没有示波器，所以没有实际电路的波形，不知道为啥，irfp250不是能承受200V吗？
把栅极波形发上来看看，很可能是MOS工作在线性区间，这点路很容易做好的，前提是波形要到位
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引用 帆帆:我过去也做过这个电路。。。但是不敢把电压加上去。。。发热的确大
高压包的初级并电容吗？ 可是那样会不会直接从电容过了？ 这个电路发热确实大 五分钟差不多就有七八十度了，但是电压在20V一下的时候 还能拉出四五厘米的弧 上了30V就工作一会儿就烧mos管了，烧过后的irfp250两两管脚之间都是导通的...
过去加个0.6uF的电容调到接近谐振貌似达到了软开关。。。
显著特征是等离子火焰出来了。。。这里是参考某经典ZVS状态的电路
你还是加了比较大的散热片？还是没加？
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引用 drzzm32:加了一个特大的散热片 烧管的时候管子不太热，能给我说下你那个0.6uf电容的原理吗 谢谢
我过去也做过这个电路。。。但是不敢把电压加上去。。。发热的确大
过去加个0.6uF的电容调到接近谐振貌似达到了软开关。。。
显著特征是等离子火焰出来了。。。这里是参考某经典ZVS状态的电路
你还是加了比较大的散热片？还是没加？
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引用 帆帆:我说怎么5分钟加热到80度……
加了一个特大的散热片 烧管的时候管子不太热，能给我说下你那个0.6uf电容的原理吗 谢谢
我以前的小散热片发热还是很快的……
最好看下你管子的波形，我之前做pllsstc挂管貌似就是尖峰挂了的……
我其实是想加电容看能不能并联谐振，调整波形。
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250的2、3脚加电容试试。图片电路20V电源电压都很难保证长期工作..还有很重要一点----管子的购货途径.
还有调试----低电压调试到最佳频率和脉宽，再提升电压...
还有调试----低电压调试到最佳频率和脉宽，再提升电压...
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引用 帆帆:建议你把IRFP250前面的电阻去掉，应该是驱动功率达不到，250的结电容我记得是蛮大的，还有就是用两级图腾去推动
是在Multisim上面仿真的波形吗？ 仿真的时候是好的 就是实际电路电压上30就会烧管子，我没有示波器，所以没有实际电路的波形，不知道为啥，irfp250不是能承受200V吗？
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引用 drzzm32:这样的工作方式其实并不是软开关，而是C类功率放大器，具体可以用专业的电源仿真软件saber做仿真看就知道，主要看实际达到ZVS时电容也并不是刚好电感电容的谐振频率与驱动频率一致的时候，具体配多大是要根据驱动信号的占空比，然后用傅里叶级数展开求D(u)/Dt=0,以及U(t)=0来求解。这也是经典class E的求解方法，不然随便配的话，就配成C类放大器了，论坛里的大多数人不知道本质拿着就配个电容，世纪是不明智的，效率也达不到真正的ZVS
初级线圈并联个mkph看看调谐振？
这电路管子发热很大。。。
过去就直接调谐振（电弧最粗）发热就小了。。。
但是不知道达到软开关没
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引用 帆帆:不够12V就是问题的根本了，图腾只是一个电压跟随器，不能放大电压的，现在我的初步判断是你的驱动电压不够
这个仿真图腾输出不够12V， 实际电路我用的8050和8550做的图腾，仿真没有问题 但是实际电路电压上30就会烧管子，已经烧了两个了 心疼 啊
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引用 金坷仙:恩 结电容就是很大 去掉可以吗 会不会烧管子？还有 请教一下250可以用那些管子代替啊？除了260 264之外，还有 初级加电容作用是什么啊？
建议你把IRFP250前面的电阻去掉，应该是驱动功率达不到，250的结电容我记得是蛮大的，还有就是用两级图腾去推动
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请大神帮我看下 这是仿真波形，谢谢
还有 我的图腾用的是8050和8550 那个貌似耐压只有25v 这么接会不会直接烧掉 如果不换管子 应该怎么改电路呢，谢谢
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烧掉是因为当250从短路到开路的时候初级直接变成boost升压电路了，瞬间可以升压到几百伏，在初级线圈并联个快速恢复二极管HER307吧，
，还有这个线路效率非常差的，还不如单管自激电路呢。并电容的话555的震荡频率必须是LC的谐振频率，非常难调试的。
8050电压才12V，怎么会烧掉，虽然8050说是只有25V，但是你上到30V一般都没事。三极管和集成电路不同，有余量的。
楼主用的是什么仿真软件啊
，还有这个线路效率非常差的，还不如单管自激电路呢。并电容的话555的震荡频率必须是LC的谐振频率，非常难调试的。
8050电压才12V，怎么会烧掉，虽然8050说是只有25V，但是你上到30V一般都没事。三极管和集成电路不同，有余量的。
楼主用的是什么仿真软件啊
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引用 金坷仙:但是就我们这种级别来讲，多少人专门学过高数，电路原理呢。。。
这样的工作方式其实并不是软开关，而是C类功率放大器，具体可以用专业的电源仿真软件saber做仿真看就知道，主要看实际达到ZVS时电容也并不是刚好电感电容的谐振频率与驱动频率一致的时候，具体配多大是要根据驱动信号的占空比，然后用傅里叶级数展开...
估计看的数电也不会讲计算吧。。。
只能说我过去“碰巧”做出那种效果了吧。。。
这个帖子的情况和我的PLLSSTC的问题一样。。。
也是容易烧管。。。后面再慢慢改进。。。
看起来像楼上那人说的原因
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这个电路并不适合大功率的升压，首先电源电压太高了，MOS关断的瞬间会产生好几倍于电源电压的尖峰，200V的耐压是轻松超过。另一方面因为555没有反馈的，开关完全是强制的，如果变压器初级没有谐振的话损耗在管子上的能量也是巨大的，楼上好几位都说到了并联电容让电路谐振。可以用IRFP460替换，那个耐压有500V。
我不怎么喜欢用仿真，那种软件仿真并不能真实反映实际情况，仿真只能把你的电路做通，不能模拟尖峰的情况，这跟你走线设计都有关系，所以最好是用示波器去看。
还有你在元件图上看到的MOS的反压二极管，实际上是MOS在制作的时候自然产生的，无法避免，称为体二极管或者寄生二极管。虽然有一定的续流作用但是实际上很脆弱，一旦这个二极管损坏MOS就坏了，所以一般要想办法保护这个二极管。极端情况下要通过串并联肖特基和快恢复来绕过这个二极管
我不怎么喜欢用仿真，那种软件仿真并不能真实反映实际情况，仿真只能把你的电路做通，不能模拟尖峰的情况，这跟你走线设计都有关系，所以最好是用示波器去看。
还有你在元件图上看到的MOS的反压二极管，实际上是MOS在制作的时候自然产生的，无法避免，称为体二极管或者寄生二极管。虽然有一定的续流作用但是实际上很脆弱，一旦这个二极管损坏MOS就坏了，所以一般要想办法保护这个二极管。极端情况下要通过串并联肖特基和快恢复来绕过这个二极管
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引用 ssungirl:恩，首先非常感谢你，本来图腾我接的是12v但是大神们说那个电压太低了 mos管子不能开启完全 所以我就打算接在40v上面，还有就是请问一下为什么组成谐振了 效率就会高？ 我是渣渣不太懂，还有 我用的仿真软件是Multisim 12.0，感觉还好用。
烧掉是因为当250从短路到开路的时候初级直接变成boost升压电路了，瞬间可以升压到几百伏，在初级线圈并联个快速恢复二极管HER307吧，
，还有这个线路效率非常差的，还不如单管自激电路呢。并电容的话555的震荡频率必须是LC的谐振频率，...
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引用 drzzm32:恩 谢谢 。其实那些都学过，就是不太会用[s::(]
但是就我们这种级别来讲，多少人专门学过高数，电路原理呢。。。
估计看的数电也不会讲计算吧。。。
只能说我过去“碰巧”做出那种效果了吧。。。
这个帖子的情况和我的PLLSSTC的问题一样。。。
也是容易烧管。。。后面再慢慢改进。。。 ...
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引用 北落师门:原来是这样 多谢了，难怪看到有的仿真上面有那个二极管有的没有，还有 请问三五要怎么接反馈啊？ 还有 请问初级谐振的作用是什么啊？ [s::)]
这个电路并不适合大功率的升压，首先电源电压太高了，MOS关断的瞬间会产生好几倍于电源电压的尖峰，200V的耐压是轻松超过。另一方面因为555没有反馈的，开关完全是强制的，如果变压器初级没有谐振的话损耗在管子上的能量也是巨大的，楼上好几位都说...
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引用 北落师门:还有就是 我没有示波器[s::'(]
这个电路并不适合大功率的升压，首先电源电压太高了，MOS关断的瞬间会产生好几倍于电源电压的尖峰，200V的耐压是轻松超过。另一方面因为555没有反馈的，开关完全是强制的，如果变压器初级没有谐振的话损耗在管子上的能量也是巨大的，楼上好几位都说...
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引用 帆帆:555设计着是信号源，要反馈非常麻烦
原来是这样 多谢了，难怪看到有的仿真上面有那个二极管有的没有，还有 请问三五要怎么接反馈啊？ 还有 请问初级谐振的作用是什么啊？
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引用 帆帆:接电容谐振的话，1，当250由开路到短路的时候，电容被充电，上正下负，电感电流增加，方向向下，2，当250由短路到开路的时候，电流无法流过250了，而电感电流无法突变，就只能给电容充电，电压方向是上负下正，电流的方向向下。3，当电感电流为0，电容反向放电，电流方向向上，当电流再次为0的时候，250就可以再次短路，给LC补充能量了。
恩，首先非常感谢你，本来图腾我接的是12v但是大神们说那个电压太低了 mos管子不能开启完全 所以我就打算接在40v上面，还有就是请问一下为什么组成谐振了 效率就会高？ 我是渣渣不太懂，还有 我用的仿真软件是Multisim 12.0，感...
这个过程没有能量损耗，效率高，但是要求250的开关频率刚好是LC谐振频率。脉宽要小于0.25.接一个二极管，那么有一半的能量会消耗在二极管上。不接二极管会烧250.
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引用 ssungirl:原来是这样 太谢谢你了 脉宽为什么要小于0.25啊？ 还有 二极管是接在250的ds极的那个快恢复管吗? 那这个一半的能量是怎么算出来的啊？求教。
接电容谐振的话，1，当250由开路到短路的时候，电容被充电，上正下负，电感电流增加，方向向下，2，当250由短路到开路的时候，电流无法流过250了，而电感电流无法突变，就只能给电容充电，电压方向是上负下正，电流的方向向下。3，当电感电流为0...
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话说单片机驱LM358(9V电压)驱250boost升压电路（15V电源）带90w负载已是成品电路几年几千块板无通病--
12V电压驱动不足为哪般..........
难道可以无视器件规格书...
12V电压驱动不足为哪般..........
难道可以无视器件规格书...
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引用 pldtv:不明 求详细解 单片机做pwm吗？我觉得太浪费了[s::lol]
话说单片机驱LM358(9V电压)驱250boost升压电路（15V电源）带90w负载已是成品电路几年几千块板无通病--
12V电压驱动不足为哪般..........
难道可以无视器件规格书...
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引用 帆帆:二极管是代替电容并联在初级线圈上，方向向上，这样不会烧250了，但是有一半能量会消耗掉。
原来是这样 太谢谢你了 脉宽为什么要小于0.25啊？ 还有 二极管是接在250的ds极的那个快恢复管吗? 那这个一半的能量是怎么算出来的啊？求教。
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引用 帆帆:是在初级线圈两端，你看一般开关电源都有，可以直接取来用
你说的是mos管那里吗？ irfp250在仿真软件里面有反压二极管 不知道是不是在管子里面集成了。要是加的话 需要什么型号的管子啊？谢谢
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引用 北落师门:可以试下saber这款软件，相当牛逼的，我在saber上设计好仿真通过的4MHZ的class E电路，基本直接搭出来波形，工作状态基本和仿真是一致的
这个电路并不适合大功率的升压，首先电源电压太高了，MOS关断的瞬间会产生好几倍于电源电压的尖峰，200V的耐压是轻松超过。另一方面因为555没有反馈的，开关完全是强制的，如果变压器初级没有谐振的话损耗在管子上的能量也是巨大的，楼上好几位都说...
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引用 金坷仙:好的 非常感谢
可以试下saber这款软件，相当牛逼的，我在saber上设计好仿真通过的4MHZ的class E电路，基本直接搭出来波形，工作状态基本和仿真是一致的
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引用 ssungirl:哦哦 是这个样啊 谢谢
二极管是代替电容并联在初级线圈上，方向向上，这样不会烧250了，但是有一半能量会消耗掉。
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引用 ssungirl:你好 我再请问一下 我查了一下 her307快恢复二极管反向耐压是800v irfp260才200v 那这样能起到保护作用吗？
烧掉是因为当250从短路到开路的时候初级直接变成boost升压电路了，瞬间可以升压到几百伏，在初级线圈并联个快速恢复二极管HER307吧，
，还有这个线路效率非常差的，还不如单管自激电路呢。并电容的话555的震荡频率必须是LC的谐振频率，...
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引用 帆帆:并联二极管不是用来抗电压的，而是让反压从二极管流过而不是去冲击MOS。因为同样是二极管也遵循欧姆定律，电流肯定从阻抗小的二极管上流过得多，一旦能消耗掉能量，反压就不会达到MOS的击穿电压了
你好 我再请问一下 我查了一下 her307快恢复二极管反向耐压是800v irfp260才200v 那这样能起到保护作用吗？
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引用 北落师门:上面不是有人说断电瞬间反电压会达到几千伏吗？ 那么这个快恢复二极管会不会被烧掉呢？ 还有 这个反向耐压是反向的击穿电压还是？ 如果是击穿电压 那么在200v和800v之间的时候由于二极管反向没有击穿 电阻很大，那会不会还是会烧掉mos管呢？还有 请问可以加你扣扣 有好多问题想请教。
并联二极管不是用来抗电压的，而是让反压从二极管流过而不是去冲击MOS。因为同样是二极管也遵循欧姆定律，电流肯定从阻抗小的二极管上流过得多，一旦能消耗掉能量，反压就不会达到MOS的击穿电压了
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引用 帆帆:你要知道所谓的尖峰虽然电压高，但是持续时间并不长，可能只有几μS，在这么短的时间里就算功率达到几千瓦，所产生的热量并不足以烧坏二极管，拿最普通的FR107来说，这管子标称1A，这是长时间的持续电流，但是手册里还有个峰值电流，指的是一定时间下所能承受的最大电流，时间越短能承受得越大。而关键的是所谓的几千伏是空载的电压，如果有一个性能不错的快恢复并联上去，这个尖峰会因为内阻问题而大大拖低，直到无法击穿MOS的程度
上面不是有人说断电瞬间反电压会达到几千伏吗？ 那么这个快恢复二极管会不会被烧掉呢？ 还有 这个反向耐压是反向的击穿电压还是？ 如果是击穿电压 那么在200v和800v之间的时候由于二极管反向没有击穿 电阻很大，那会不会还是会烧掉mos...
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引用 北落师门:太谢谢你的耐心解答了 但是还是不太明白 如果二极管还没反向击穿的时候电压已经到了mos的击穿电压会不会烧坏mos管啊？
你要知道所谓的尖峰虽然电压高，但是持续时间并不长，可能只有几μS，在这么短的时间里就算功率达到几千瓦，所产生的热量并不足以烧坏二极管，拿最普通的FR107来说，这管子标称1A，这是长时间的持续电流，但是手册里还有个峰值电流，指的是一定时间下...
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引用 帆帆:根本没有击穿电压这说法，二极管在这里不是当稳压管用的，而是用来当负载消耗掉那个尖峰
太谢谢你的耐心解答了 但是还是不太明白 如果二极管还没反向击穿的时候电压已经到了mos的击穿电压会不会烧坏mos管啊？
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