引用 rudolf:是负压关断的。--6.1V，如图2.
要负压关断。
引用
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IGBT关断不良问题
IGBT关断不良问题
大家好，请教一个问题。
本人新手，请多包涵。我要做一个单相的全桥逆变板。比较简单，就是PWM信号有单片机生成后，经过TLP250光耦的隔离放大后加到由IGBT组成的全桥上。现在第一步，是使用了全桥的左上和右下的管子，做一个斩波的测试（不知此处原理是否可行）。问题就来了，我搭好电路后，发现IGBT不能很好的关断，下图。
![TEK00007.png]()
我检查IGBT的GE间的驱动感觉正常，如图。
![TEK00006.png]()
以下是我的原理图。
![[LXL$F6XVA{B58MR6VN3LZD.png]()
VCC1=15V。
![SR.png]()
图中，直流母线电压为12V，实际GE间所用稳压管为15V。
只有VT1和VT4的栅极加载相同的PWM信号（同开同关），单片机产生的PWM信号如下。
![TEK00001.png]()
我试着减小了栅极电阻（由100欧变为50欧），但是关断波形并没有改善。现在请教各位高手。![tek00004.png]()
![TEK00002.png]()
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大家好，请教一个问题。
本人新手，请多包涵。我要做一个单相的全桥逆变板。比较简单，就是PWM信号有单片机生成后，经过TLP250光耦的隔离放大后加到由IGBT组成的全桥上。现在第一步，是使用了全桥的左上和右下的管子，做一个斩波的测试（不知此处原理是否可行）。问题就来了，我搭好电路后，发现IGBT不能很好的关断，下图。
我检查IGBT的GE间的驱动感觉正常，如图。
以下是我的原理图。
VCC1=15V。
图中，直流母线电压为12V，实际GE间所用稳压管为15V。
只有VT1和VT4的栅极加载相同的PWM信号（同开同关），单片机产生的PWM信号如下。
我试着减小了栅极电阻（由100欧变为50欧），但是关断波形并没有改善。现在请教各位高手。