@WGC03 MOS没问题。通电中MOS不发热，事后检查MOS，全都是正常的。10R的栅极电阻，是用的0.5W的。最先没用双电源供电时，驱动和MOS用的同一组12V电源，是运行正常的，只是MOS几秒钟开始就非常烫。后来尝试改12V只驱动3525模块，市电整流作为MOS供电时，就开始烧10R的栅极电阻了。再改回来12V单电源，输出端不接负载时很正常，但只要一碰负载，就同样烧得非常勤快。

@莱特 10R的栅极电阻。

@WGC03  另外，这个模块，没有调占空比的，我也不知道上哪去调占空比，上面可调电阻就只有两个，一个是负责频率，一个是负责电流。我全都是调到正中间的。

看大家的评论，我是否可以下定论，这个电路里除了下拉电阻多余，电路本身不存在错误是吧？可能存在的问题，只能是原件损坏或者调试类的？
谢谢大家的指导。

@WGC03 是这么设计的。MOS管是1200V，31A的碳晶管。理论上来说，用SG3525做驱动上，输入电压可以到1000伏以上吧。

@迪纳米斯 是的。电路全搭好后，接了个自己做的小高压包，初级5+5T，次级2000T，通电后，高压包输出端拉出大概15cm的电弧，持续时间～0.5秒以内。然后，电路报废。4个碳化硅管拆下来后测试，没有一个能用的，而且很奇怪，就是DS极不管怎么弄都不能导通～
SG3525输出端加了隔离变压器，所以SG3525没坏。
后来尝试用IRFP460替代，空载的时候，输出端用万用表测试，输出正常，电压330V。接上变压器油后，就是不能工作了，输出端为0伏。再把变压器拆下来，电路依然不能工作，输出端还是0伏。拆下IRFP460来测试，管子又是好的～
实在找不到原因了～所以上来求助了～期望知道问题到底出在哪里～

@迪纳米斯 驱动电压12V。最先说烧10R电阻的问题，重新焊了块板子就好了。再后面就没再用10R的电阻了，而是用参考了ZVS的用料，用的470R，3W的。

@223388 碳化硅管已经全部报废了。改用IRFP460了。功率端电压大概330V左右，460能应付得下来。没接高压包前，驱动正常的。接高压包后，通电没任何反应，输出端就成0伏了，也就是说MOS管没被导通。
现在也不知道是不是输入功率过大而高压包功率过小出现磁饱和的原因还是其它的什么问题。
拆下来测试，SG3525正常使用，MOS管460正常使用，高压包在ZVS上也正常使用～郁闷了。

@迪纳米斯 碳化硅的管子玩完了，这个非常确定。因为～拆下来测试后，死活导通不了，所以，就算它没玩完～我总不能再去垃圾桶翻吧？
高压包内部没击穿，这个可以确定。我自己做的，线是用的三层绝缘线，然后每绕一层都刷了绝缘环氧树脂～就是那种号称每毫米绝缘70KV的环氧树脂。
现在正在用这个环氧树脂重新做UY30的骨架～
SG3525板子保护，输出端都已经价了变压器隔离了，还保护，这个得怎么破？

@迪纳米斯 电路在重新绘制，不会用PCB画，只能是用coreldraw这种平面设计软件来画。自己已经手工折腾了两块板子了，还是有原件对不上孔的问题，也很头疼～

@迪纳米斯 因为不会用PCB软件。再因为曾经是平面设计师～

@迪纳米斯 你猜到了？哈哈，是这么打算的。有建议没？

@迪纳米斯 fusor不是脉冲的直流的，而是持续的高压。花这么大代价，肯定不是为了拉弧这么无聊。

@迪纳米斯 求个基于3525驱动的全桥电路图～
我做的实在没办法用，不停的炸管。每次换完最多只能撑个0.几秒，华丽的RMB烟花～

@dadodo 没扔。管子确实可惜了，不过也换更高级的了。
最基本的3525前级，接IGBT商品驱动模块，准备上2对200A600V的富士IBGT2单元模块……
话说，正在途中的IBGT模块，富士2MBI200N-060，这模块有谁知道它的最高频率到底是多少？
技术参数上，看不到任何有关频率的。我自己按它导通和关断延时的总和的50倍来算应用，才9K的频率？这很坑啊～

@wuly 变压器这个重点我注意到了。